IGBT модулі, 1700В 300А
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
Ауысу
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
IGBT
Ауысу
Символ | сипаттама | мәндері | бірлік |
vCES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1700 | v |
vГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ± 20 | v |
ic | Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=Ауысу100лыc | 493 300 | a) |
iсм | Импульстік коллектор тогы tp=1 мс | 600 | a) |
pd | Максималды қуат таратуАуысуtАуысу=175лыc | 1829 | w |
Ауысу
Диод
Символ | сипаттама | мәндері | бірлік |
vРРМ | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу | 1700 | v |
if | Диодты үздіксіз алға бұружалға алу | 300 | a) |
iм-ге | Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс | 600 | a) |
АуысуМодуль
Символ | сипаттама | мәндері | бірлік |
tjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | лыc |
tжіп | Жұмыс қиылысының температурасы | -40-дан +150-ге дейін | лыc |
tЖТГ | сақтау температурасыАуқымы | -40-дан +125-ге дейін | лыc |
vISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут | 4000 | v |
АуысуIGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірлік |
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) | Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc | Ауысу | 1.85 | 2.20 | Ауысу Ауысу v |
ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc | Ауысу | 2.25 | Ауысу | |||
ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc | Ауысу | 2.35 | Ауысу | |||
vГЭ(лық) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу | ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
iCES | ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды | vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc | Ауысу | Ауысу | 1.0 | ана |
iГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды | vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc | Ауысу | Ауысу | 400 | н |
rГинт | Ішкі қақпаның кедергісілық | Ауысу | Ауысу | 2.5 | Ауысу | О |
cлар | Кіріс сыйымдылығы | vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В | Ауысу | 36.1 | Ауысу | НФ |
cре | Кері ауыстыру Қуаттылық | Ауысу | 0.88 | Ауысу | НФ | |
qg | Қақпалық төлем | vГЭ=-Ауысу15...+15В | Ауысу | 2.83 | Ауысу | μC |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc | Ауысу | 204 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 48 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 595 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 100 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 69.3 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 63.3 | Ауысу | МЖ | |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc | Ауысу | 224 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 55 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 611 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 159 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 96.8 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 99.0 | Ауысу | МЖ | |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc | Ауысу | 240 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 55 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 624 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 180 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 107 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 105 | Ауысу | МЖ | |
Ауысу isc | Ауысу SC деректері | tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В | Ауысу | Ауысу 1200 | Ауысу | Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
Ауысу vf | Алға қарай диод кернеу | if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc | Ауысу | 1.80 | 2.25 | Ауысу v |
if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc | Ауысу | 1.90 | Ауысу | |||
if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc | Ауысу | 1.95 | Ауысу | |||
qr | Алынған айыппұл | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc | Ауысу | 55 | Ауысу | μC |
irm | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 297 | Ауысу | a) | |
ерек | Қайта қалпына келтіруэнергия | Ауысу | 32.2 | Ауысу | МЖ | |
qr | Алынған айыппұл | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=125лыc | Ауысу | 116 | Ауысу | μC |
irm | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 357 | Ауысу | a) | |
ерек | Қайта қалпына келтіруэнергия | Ауысу | 68.2 | Ауысу | МЖ | |
qr | Алынған айыппұл | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=150лыc | Ауысу | 396 | Ауысу | μC |
irm | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 120 | Ауысу | a) | |
ерек | Қайта қалпына келтіруэнергия | Ауысу | 81.6 | Ауысу | МЖ |
Ауысу
АуысуАуысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Мин. | Тип. | ең көп. | бірлік |
Менлы | Айналадағы индуктивтілік | Ауысу | Ауысу | 20 | nH |
rCC+EE | Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке | Ауысу | 0.35 | Ауысу | mΩ |
rТЖК | Қатысу (IGB бойынша)Т) Джункция-дан-Кейс (әр Diод) | Ауысу | Ауысу | 0.082 0.129 | К/W |
Ауысу rТХ | Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль) | Ауысу | 0.033 0.051 0.010 | Ауысу | К/W |
м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы | 2.5 3.0 | Ауысу | 5.0 5.0 | n.m |
g | салмағыАуысулықАуысуМодуль | Ауысу | 300 | Ауысу | g |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
