IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

GD300HFT170C2S

бірліктері

ККЕЖ

Жинақтаушы-шығарғышАуысукернеу

1700

v

VGFs

Қақпа-эмиттерАуысукернеу

± 20

v

i

ЖинақтаушыАуысуағымдыАуысу@Tc=25℃

@Tc=80℃

550

a)

300

ICM(1)

қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtp=1мс

600

a)

i

ДиодАуысуүздіксізАуысуАлғаАуысуағымды

300

a)

i

ДиодАуысуең көпАуысуАлғаАуысуағымды

600

a)

Б.б.

ең көпАуысуқуаттылығыАуысушашырауАуысу@Tj=175℃

2083

w

ТСК

қысқаАуысуконтурАуысуҚалқаңыздар!АуысууақытАуысу@Тж=125℃

10

μs

Tjmax

ең көпАуысуБөлшеуішАуысутемпературасы

175

°C

ТСТГ

сақтауАуысутемпературасыАуысудиапазоны

-40Ауысуto+125

°C

I²t-мәні,Диод

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

VISO

ОқшаулауАуысукернеуАуысуRMS,f=50Hz,t=1мин

4000

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

қуаттылығыАуысуТерминалАуысубұранда:M6

2.5АуысуүшінАуысу5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0АуысуүшінАуысу5.0

n.m

Символ

параметр

сынақАуысуШарттары

минут.

типті.

ең көп.

бірліктері

BVcrs

Жинақтаушы-шығарғыш

бұзылуАуысукернеу

VGe=0V,Ic=4.0mA,АуысуT=25℃

1700

Ауысу

Ауысу

v

ICES

ЖинақтаушыАуысуКесіп алуАуысуағымды

VCE=VCES,VGE=0V,АуысуTj=25°C

Ауысу

Ауысу

3.0

ана

IGrs

Қақпа-эмиттерАуысуАғып кетуАуысуағымды

VGr=VGes,Vcn=0V,АуысуT=25℃

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

сынақАуысуШарттары

минут.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Vcπ(h)

Қақпа-эмиттерАуысуШектіАуысукернеу

Ie=12.0mA,Vcr=VGEАуысуT=25℃

5.2

5.8

6.4

v

Ауысу

VCE (sat)

Ауысу

ЖинақтаушыАуысуүшінАуысуэмитентАуысуСатурацияАуысукернеу

Ic=300A,VGr=15V,АуысуT=25℃

Ауысу

2.0

Ауысу

Ауысу

v

i=300A,VGr=15V. T=125℃

Ауысу

2.4

Ауысу

Символ

параметр

сынақАуысуШарттары

минут.

Тип.

ең көп.

бірліктері

taon)

Қалпына келтіруАуысуКешіктіруАуысууақыт

Vcc=900V,Ic=300A,Ra=4.72,

Vae=±15V,АуысуT=25℃

Ауысу

281

Ауысу

н

t

КөтерілуАуысууақыт

Ауысу

82

Ауысу

н

т(o)

БұғаттауАуысуКешіктіруАуысууақыт

Ауысу

801

Ауысу

н

tr

ТүсуАуысууақыт

Ауысу

Vcc=900V,Ic=300A,Ауысу

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

Ауысу

121

Ауысу

н

Эон

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

70

Ауысу

МЖ

Eofr

БұғаттауАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

65

Ауысу

МЖ

ta(on)

Қалпына келтіруАуысуКешіктіруАуысууақыт

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15VT=125℃

Ауысу

303

Ауысу

н

t

КөтерілуАуысууақыт

Ауысу

103

Ауысу

н

ta(om)

БұғаттауАуысуКешіктіруАуысууақыт

Ауысу

1002

Ауысу

н

tr

ТүсуАуысууақыт

Ауысу

203

Ауысу

н

Эон

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

105

Ауысу

МЖ

ЕОЖ

БұғаттауАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

94

Ауысу

МЖ

Қалғандары

кірісАуысуҚуаттылық

Ауысу

VCE=25В,f=1Мхц,

VGr=0V

Ауысу

27.0

Ауысу

НФ

Коэ

шығысАуысуҚуаттылық

Ауысу

1.1

Ауысу

НФ

Крес

КеріАуысуТасымалдау

Қуаттылық

Ауысу

0.9

Ауысу

НФ

Ауысу

еск

Ауысу

scАуысудеректер

tsc≤10μs,VGE=15V,Ауысу

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

RGint

ішкіАуысуGateАуысуРезистанслы

Ауысу

Ауысу

2.5

Ауысу

О

LCr

КездейсоқАуысуиндуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

RcC'+EE'

МодульАуысуБасқаруАуысуқарсылық,АуысуТерминалАуысуүшінАуысусынық

TC=25°C

Ауысу

0.35

Ауысу

м2

Символ

параметр

сынақАуысуШарттары

минут.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vr

ДиодАуысуАлға

кернеу

Iq=300A

Tj=25°C

Ауысу

1.8

Ауысу

v

Ti=125℃

Ауысу

1.9

Ауысу

q

ДиодАуысуКері

Қалпына келтіруАуысуайыппұл

Ауысу

Ауысу

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

Ауысу

77

Ауысу

μC

Tj=125°C

Ауысу

131

Ауысу

Ауысу

IRM

ДиодАуысуШұңқыры

КеріАуысуҚалпына келтіруАуысуағымды

Tj=25°C

Ауысу

351

Ауысу

Ауысу

a)

T=125℃

Ауысу

383

Ауысу

Eree

КеріАуысуҚалпына келтіруАуысуэнергия

Tj=25°C

Ауысу

40

Ауысу

МЖ

Tj=125°C

Ауысу

72

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

Rac

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдайАуысу(IGBTАуысуҚиссасы,АуысубірАуысу1/2АуысуМодульle)

Ауысу

0.072

К/W

Rac

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдайАуысу(ДиодАуысуҚиссасы,АуысуpерАуысу1/2АуысуМодуль)

Ауысу

0.13

К/W

Roc

Қаптамадан суға құюғаАуысу(ЖүргізушіАуысумайАуысуқолданылған)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

300

Ауысу

g