IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

490

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

2027

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.40

2.85

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.80

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.90

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.4

6.2

7.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.3

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.69

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.31

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

200

н

t R

Күтерілу уақыты

97

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

410

н

t F

Күз мезгілі

370

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

82.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

60.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

250

н

t R

Күтерілу уақыты

99

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

630

н

t F

Күз мезгілі

580

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

115

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

90.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

260

н

t R

Күтерілу уақыты

105

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

670

н

t F

Күз мезгілі

640

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

125

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

100

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.95

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

90.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

270

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

45.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

135

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

315

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

75.5

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

160

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

330

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

84.0

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц = 100O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.074

0.121

К/W

R θ КС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

0.029

0.047

К/W

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

0.009

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Салмақ Модуль

350

g