IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

490

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

2027

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.40

2.85

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.80

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.90

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.4

6.2

7.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

20.3

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.69

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

2.31

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

200

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

97

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

410

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

370

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

82.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

60.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

99

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

630

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

580

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

115

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

90.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

260

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

105

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

670

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

640

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

125

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

100

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

90.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

270

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

45.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

135

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

315

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

75.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

160

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

330

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

84.0

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100лыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттың шашырауы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

1.10

Ауысу

mΩ

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.074

0.121

К/W

rθКС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

Ауысу

0.029

0.047

Ауысу

К/W

rθКС

Қаптамадан суға құюға

Ауысу

0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5АуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

3.0

3.0

Ауысу

6.0

6.0

n.m

g

салмағыАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g