IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =90 O Ц

430

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

1851

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.40

2.85

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.80

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.90

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.4

6.2

7.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.3

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.72

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.8

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

464

н

t R

Күтерілу уақыты

157

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

421

н

t F

Күз мезгілі

290

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

108

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

55.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

483

н

t R

Күтерілу уақыты

161

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

465

н

t F

Күз мезгілі

538

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

128

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

83.7

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

492

н

t R

Күтерілу уақыты

165

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

483

н

t F

Күз мезгілі

747

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

141

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

92.1

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж = 150O C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

960

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.95

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

70

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

209

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

40.7

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =125 O Ц

108

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

238

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

65.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =150 O Ц

123

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

253

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

71.6

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.25

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.081

0.138

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.054

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g