IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=90лыc

430

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

1851

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.40

2.85

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.80

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.90

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.4

6.2

7.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.3

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

20.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.72

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

1.8

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

464

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

157

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

421

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

290

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

108

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

55.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

483

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

161

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

465

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

538

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

128

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

83.7

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

492

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

165

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

483

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

747

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

141

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

92.1

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=Ауысу150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

960

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

70

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

209

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

40.7

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=125лыc

Ауысу

108

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

238

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

65.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=150лыc

Ауысу

123

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

253

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

71.6

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

15

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.25

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.081

0.138

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.032

0.054

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g