IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD2400SGL120C3SN

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц = 100°C

3550

2400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

4800

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

2400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

4800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

12.8

кВт

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-ге дейін 5.75

Салмақ

салмағы Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =96 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.4

7.4

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.95

2.40

V

I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =2400А, R Қон = 1,0Ω,

R Гофф =2.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =25 °C

188

н

t R

Күтерілу уақыты

131

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1040

н

t F

Күз мезгілі

132

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

272

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

320

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =2400А, R Қон = 1,0Ω,

R Гофф =2.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =125 °C

214

н

t R

Күтерілу уақыты

184

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1125

н

t F

Күз мезгілі

138

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

268

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

416

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

TBD

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

TBD

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

TBD

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =150 ℃,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

9000

А

Q g

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I Ц =2400А, V ГЭ =-15 ﹍+15В

TBD

μC

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.3

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.19

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =2400А

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж =125 °C

1.75

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =2400А,

V R =600В,

R g = 1.6Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

246

μC

t ж =125 °C

435

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

810

А

t ж =125 °C

1160

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

103

МЖ

t ж =125 °C

182

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

11.7

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

21.9

K/kW

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

6

K/kW