IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD2400SGL120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

@ Тc=25°C

@ Тc=80°C

3400

a)

2400

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

4800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

2400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

4800

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу150°C

10.4

кв

tj

Жоғарғы түйісу температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Сигнал терминалыАуысуШраф:M4

Электр терминалыАуысуШрафта:M8

1.8 дейінАуысу2.1

8,0-денАуысу10

Ауысу

n.m

қозғалтқыш күші

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=96.0ана,vлы=vГЭ,tj=25°C

5.0

6.3

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 2400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

ic= 2400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.20

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

24.5

Ауысу

μC

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

tj=25°C

Ауысу

0.13

Ауысу

О

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=2400А,АуысуrГофф=0.43Ω,

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

210

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

80

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

480

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

260

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

155

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=2400А,Ауысуrg=0.43Ω,

vГЭ=±15В,Тj=Ауысу125°C

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

85

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

90

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

360

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

250

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

170

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

11.4

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

7.52

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=125°CVCC= 900В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

TBD

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

12

Ауысу

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісіc)АуысуТерминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

0.19

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=2400А

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.20

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=2400А,

vr=600В,

rg=0.43Ω,

vГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

315

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

530

Ауысу

irm

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

2000

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

2700

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

115

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

240

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

12

K/kW

rθЖК

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

22

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға

(Жегілген өткізгіш май,Модуль)

6

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

1500

Ауысу

g