IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD225HTT120C7S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

400

225

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

450

А

p tot

Жалпы қуат жоғалту @ T ж =175 °C

1442

W

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

251

н

t R

Күтерілу уақыты

89

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t F

Күз мезгілі

125

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

/

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

/

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

305

н

t R

Күтерілу уақыты

100

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

660

н

t F

Күз мезгілі

162

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

15.1

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

35.9

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

16.0

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.84

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.73

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I Ц =225A, V ГЭ =15В

2.1

μC

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

3.3

Ω

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

900

А

Символ

Сипаттама

GD225HTT120C7S

Блоктар

V РРМ

Қайталаушы шың кері кернеу @ T ж =25 °C

1200

V

I F

Тұрақты Ток Алға @ T Ц =80 °C

225

А

I ҚРМ

Қайталаушы Пик Алға Ток t p =1 мс

450

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =225A,

V ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.65

2.15

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Алынған айыппұл

I F =225A,

V R =600В,

R g =3,3Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

22

μC

t ж =125 °C

43

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

160

А

t ж =125 °C

198

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

11.2

МЖ

t ж =125 °C

19.9

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

2500

V

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке @ Т Ц =25 °C

1.10

mΩ

R θ ЖК

Жолақыдан кейінгі (IGBT-инвертор бойынша) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер)

0.104

0.173

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.005

К/W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40

125

°C

Орнату Торк

Қуат терминалының бұрандасы:M6

Орнату Шраф:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

салмағы Модуль

910

g