IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD225HTL120C7S

Блоктар

V CES

Коллектор-Эмиттер Кернеуі @ T ж =25 °C

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц = 100°C

400

225

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

450

А

p tot

Толық қуаттың шашырауы @ Т ж = 175°C

1973

W

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =9.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.90

2.35

V

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.3

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =5.0Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

168

н

t R

Күтерілу уақыты

75

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

440

н

t F

Күз мезгілі

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

27.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

37.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =5.0Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж = 125°C

176

н

t R

Күтерілу уақыты

75

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

510

н

t F

Күз мезгілі

75

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

13.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

22.5

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

16.6

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.20

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.78

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ ≤ 15 V, t ж =125 °C V CC =600В, V КЕМ ≤ 1200В

1050

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

1.0

Ω

Символ

Сипаттама

GD225HTL120C7S

Блоктар

V РРМ

Коллектор-Эмиттер Кернеуі @ T ж =25 °C

1200

V

I F

Тұрақты Ток Алға @ T Ц =80 °C

225

А

I ҚРМ

Қайталаушы Пик Алға Ток t p =1 мс

450

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =225A, V ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж = 125°C

1.85

Q R

Алынған айыппұл

V R =600 V,

I F =225A,

R g =5.0Ω,

V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

30

μC

t ж = 125°C

57

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

195

А

t ж = 125°C

255

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

10.8

МЖ

t ж = 125°C

22.5

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц = 100°C Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25exp[B 25/50 1/Т 2- 1/(298.1 5K))]

3375

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалға шип @ Т Ц =25 °C

1.1

м Ω

R θ ЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша) БТ)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.076

0.154

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш май) қолданылған)

0.005

К/W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40

125

°C

Орнату

Торк

Электр қуаты терминал бұрандасы:M5

3.0

6.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0

6.0

Н.М

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

910

g