IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD200MLT120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

360

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

400

А

p tot

Жалпы қуат жоғалту @ T ж =175 °C

1163

W

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

248

н

t R

Күтерілу уақыты

88

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

540

н

t F

Күз мезгілі

131

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.85

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125°C

298

н

t R

Күтерілу уақыты

99

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

645

н

t F

Күз мезгілі

178

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

15.1

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.9

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

14.4

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.75

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.65

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I Ц =200A, V ГЭ =-15 ﹍+15В

1.90

μC

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

3.8

Ω

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 ℃,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Сипаттама

GD200MLT120C2S

Блоктар

V РРМ

Қайталаушы шың кері кернеу @ T ж =25 °C

1200

V

I F

ДС қозғалыс токы T Ц =8 0°C

200

А

I ҚРМ

Қайталаушы Пик Алға Ток t p =1 мс

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200А

t ж =25 °C

1.65

2.10

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Алынған айыппұл

I F =200A,

V R =600В,

R g =3,6Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

20.0

μC

t ж =125 °C

26.1

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

151

А

t ж =125 °C

190

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

9.20

МЖ

t ж =125 °C

17.1

Символ

Сипаттама

GD200MLT120C2S

Блоктар

V РРМ

Қайталаушы шың кері кернеу @ T ж =25 °C

1200

V

I F

ДС қозғалыс токы T Ц =8 0°C

200

А

I ҚРМ

Қайталаушы Пик Алға Ток t p =1 мс

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,

V ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.65

2.10

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Алынған айыппұл

I F =200A,

V R =600В,

R g =3,6Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

20.0

μC

t ж =125 °C

26.1

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

151

А

t ж =125 °C

190

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

9.20

МЖ

t ж =125 °C

17.1

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

R θ ЖК

Жылдамдық-қорытынды (IGBT T1 T2 T3 T4 үшін) Жылдамдық-қорытынды (D1 D2 D3 диоды үшін) D4) Жылдамдық-қорытынды (D5 диоды үшін) D6)

0.129 0.237 0.232

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.035

К/W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40

150

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40

125

°C

Орнату Торк

Қуат терминалының бұрандасы:M6

Тіркемелік бұранда:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Салмақ

Салмақ Модуль

340

g