IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =85 O Ц

285

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

882

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.0

5.9

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

200

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

17.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.55

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.07

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1.0Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

296

н

t R

Күтерілу уақыты

77

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

391

н

t F

Күз мезгілі

172

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

4.25

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

16.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1.0Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

272

н

t R

Күтерілу уақыты

79

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

423

н

t F

Күз мезгілі

232

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

6.45

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

22.6

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1.0Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

254

н

t R

Күтерілу уақыты

80

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

430

н

t F

Күз мезгілі

280

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

8.30

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

24.3

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.65

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.65

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

18.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

240

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.10

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =-15В t ж = 125O Ц

33.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

14.5

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =-15В t ж = 150O Ц

38.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

260

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

16.0

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.170

0.280

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.161

0.265

0.050

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

150

g