IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD200HFL120C8SN

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц = 100°C

400

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

400

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

1724

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Орнату Торк

Электр қуаты терминал бұрандасы:M5

Қою шуы: M5

2,5 -ге дейін 3.5

2,5 -ге дейін 3.5

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.90

2.35

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

365

н

t R

Күтерілу уақыты

79

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

396

н

t F

Күз мезгілі

165

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

8.00

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

14.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

372

н

t R

Күтерілу уақыты

83

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

420

н

t F

Күз мезгілі

293

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

11.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

22.3

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

14.9

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.04

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.68

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1200

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

22

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.65

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

(чип)

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200А

t ж =25 °C

1.80

2.25

V

t ж =125 °C

1.85

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =200A,

V R =600В,

R g =3,3Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

17.2

μC

t ж =125 °C

35.3

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

160

А

t ж =125 °C

213

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

11.2

МЖ

t ж =125 °C

21.2