GD200HFL120C2S_G4, IGBT Модуль, STARPOWER

IGBT Модулі 1200V

GD200HFL120C2S_G4,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 200А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD200HFL120C2S_G4

Кіріспе
Нысан
Эквивалентті схемалық схема

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) SPT+ IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы қосылу температурасы 175°C
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Жеке жүйелік тұрақты электртік қорғау агрегаты

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 °C егер каланын белгіленген

Символ	Сипаттама	GD200HFL120C2S_G4	Блоктар
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ t Ц =25 °C @ Т Ц = 100°C	360 200	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p = 1 мс	400	А
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	200	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	400	А
p D	Максималды қуаттылық ж = 1 75°C	1364	W
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	°C
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	°C
t ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	°C
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	4000	V
Орнату Торк	Қуат терминалының бұрандасы:M6 Тіркемелік бұранда:M6	2,5 -ге дейін 5.0 3.0-ден 5.0	Н.М
Салмақ	салмағы Модуль	300	g

Электр Характеристикалар туралы IGBT t Ц =25 °C егер каланын белгіленген

Белгілері

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V (BR )CES	Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі	t ж =25 °C	1200			V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C			400	nA

Өздік ерекшеліктері туралы

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C	5.0	6.2	7.0	V
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C		1.90	2.35	V
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C		2.10		V

Өзгерту сипаттамалары

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g =5. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C		437		н
t R	Күтерілу уақыты			75		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			436		н
t F	Күз мезгілі			165		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			10.0		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			15.0		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g =5. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125°C		445		н
t R	Күтерілу уақыты			96		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			488		н
t F	Күз мезгілі			258		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			15.9		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			22.3		МЖ
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		14.9		НФ
Ц лық	Шығарылымдық сыйымдылық			1.04		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық			0.68		НФ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V, t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		940		А
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			1.0		Ω
L CE	Айналадағы индуктивтілік				20	nH
R CC+EE	Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке			0.35		mΩ

Электр Характеристикалар туралы Диод t Ц =25 °C егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары		Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200А	t ж =25 °C		1.82	2.25	V
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200А	t ж =125 °C		1.95		V
Q R	Қайта қалпына келтірілген заряд	I F =200A, V R =600В, R g =5. 1Ω, V ГЭ =-15В	t ж =25 °C		16.6		μC
Q R	Қайта қалпына келтірілген заряд		t ж =125 °C		29.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		t ж =25 °C		156		А
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		t ж =125 °C		210		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия		t ж =25 °C		9.3		МЖ
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия		t ж =125 °C		16.0		МЖ

Жылу сипаттамалары ics

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Блоктар
R θ ЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т)		0.110	К/W
R θ ЖК	Құрамына байланысты (D-ға) йод)		0.140	К/W
R θ КС	Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)	0.035		К/W