1200В 200А
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.
Ерекшеліктер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 °C егер каланын белгіленген
Символ | Сипаттама | GD200HFK120C2S | Блоктар |
V CES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | V |
V ГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ±20 | V |
I Ц | Коллектор токы @ t Ц =25 °C @ Т Ц =80 °C | 360 200 | А |
I CM | Импульсны коллектор токы t p = 1 мс | 400 | А |
I F | Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу | 200 | А |
I Fm | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс | 400 | А |
p D | Максималды қуаттылық ж = 1 50°C | 1344 | W |
t jmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 150 | °C |
t жіп | Жұмыс қиылысының температурасы | -40-дан +125-ге дейін | °C |
t ЖТГ | Сақтау температурасы Диапазон | -40-дан +125-ге дейін | °C |
V ISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты | 4000 | V |
Орнату Торк | Қуат терминалының бұрандасы:M6 Тіркемелік бұранда:M6 | 2,5 -ге дейін 5.0 3.0-ден 5.0 | Н.М |
Салмақ | салмағы Модуль | 300 | g |
Электр Характеристикалар туралы IGBT t Ц =25 °C егер каланын белгіленген
Белгілері
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | Блоктар |
V (BR )CES | Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі | t ж =25 °C | 1200 |
|
| V |
I CES | Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк | V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C |
|
| 5.0 | mА |
I ГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C |
|
| 400 | nA |
Өздік ерекшеліктері туралы
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | Блоктар |
V ГЭ (th ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу | I Ц =2.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C | 4.4 | 5.1 | 6.0 | V |
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C |
| 2.20 | 2.65 |
V |
I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C |
| 2.50 |
|
Өзгерту сипаттамалары
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | Блоктар |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3.4Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C |
| 329 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 76 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 350 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 142 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 14.6 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 14.8 |
| МЖ | |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =200A, R g =3.4Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125°C |
| 351 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 77 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 382 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 183 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 19.2 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 19.9 |
| МЖ | |
Ц лар | Кіріс сыйымдылығы | V CE =30В,f=1МГц, V ГЭ =0В |
| 17.2 |
| НФ |
Ц лық | Шығарылымдық сыйымдылық |
| 1.60 |
| НФ | |
Ц ре | Кері ауыстыру Қуаттылық |
| 0.64 |
| НФ | |
I SC |
SC деректері | t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V, t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1600 |
|
А |
R Гинт | Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
| 2.0 |
| Ω |
L CE | Айналадағы индуктивтілік |
|
|
| 20 | nH |
R CC+EE | Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке |
|
|
0.35 |
| mΩ |
Электр Характеристикалар туралы Диод t Ц =25 °C егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | Блоктар | |
V F | Алға қарай диод Кернеу | I F =200А | t ж =25 °C |
| 1.95 | 2.35 | V |
t ж =125 °C |
| 1.85 |
| ||||
Q R | Қайта қалпына келтірілген заряд | I F =200A, V R =600В, R g =3.4Ω, V ГЭ =-15В | t ж =25 °C |
| 13.4 |
| μC |
t ж =125 °C |
| 26.6 |
| ||||
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | t ж =25 °C |
| 160 |
| А | |
t ж =125 °C |
| 203 |
| ||||
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия | t ж =25 °C |
| 8.16 |
| МЖ | |
t ж =125 °C |
| 14.4 |
| ||||
Жылу сипаттамалары ics
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Блоктар |
R θ ЖК | Қатысу (IGB бойынша) Т) |
| 0.093 | К/W |
R θ ЖК | Құрамына байланысты (D-ға) йод) |
| 0.193 | К/W |
R θ КС | Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік) | 0.035 |
| К/W |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
