IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD1600SGL120C3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

@ Т Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

2500

А

1600

I КМ ((1)

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

3200

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

1600

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

3200

А

p D

Максималды қуаттылық t ж =150 °C

8.3

кВт

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t ж

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тен +125

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В,t=10ms,T ж =125 °C

300

kA 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Орнату

Торк

Электр терминалы Шраф:M4

Электр терминалы Шрафта:M8

1.8 дейін 2.1

8,0-ден 10

Н.М

Орнату Шраф:M6

4.25-ге дейін 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

BV CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE =V CES V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ =V ГЭС V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =64mA,V CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =1600А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.8

V

I Ц =1600А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.0

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

Q ГЭ

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

16.8

μC

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =1600A,

R g =0,82Ω,

V ГЭ =± 15В,Т ж =25 °C

225

н

t R

Күтерілу уақыты

105

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1100

н

t F

Күз мезгілі

100

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу жоғалту

148

МЖ

E Ашылған

Ашылғанда ауысу шығыны

186

МЖ

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =1600A,

R g =0,82Ω,

V ГЭ =± 15В,Т ж =125 °C

235

н

t R

Күтерілу уақыты

105

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1160

н

t F

Күз мезгілі

105

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу жоғалту

206

МЖ

E Ашылған

Ашылғанда ауысу шығыны

239

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

119

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

8.32

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

5.44

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ =15В,

t ж =125 °C ,

V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

7000

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

0.1

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі лық, Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.19

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =1600А

t ж =25 °C

2.1

V

t ж =125 °C

2.2

Q R

Алынған айыппұл

I F =1600A,

V R =600В,

di/dt=-7500A/μs, V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

73

μC

t ж =125 °C

175

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

510

А

t ж =125 °C

790

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

17

МЖ

t ж =125 °C

46

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θJC

Қосылым-қапшыққа (IGBT бөлшегі, әр Модуль)

15

K/kW

R θJC

Қаптамаға қосылу (диодтық бөлшектер, М одуль)

26

K/kW

R θCS

Қаптамадан суға құюға

(Жетістіретін майды қолданған, r Модулі)

6

K/kW

Салмақ

салмағы Модуль

1500

g