IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD1200HFL120C3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц = 100°C

1900

1200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

2400

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

1200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2400

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

6.41

кВт

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жоғарғы түйісу температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы

1.8 дейін 2.1

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы

8,0-ден 10

Н.М

Монументтік момент, М6 бұрандасы

4.25-тен 5.75

g

салмағы Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =48.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.4

7.4

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.95

2.40

V

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц = 1200А, R Қон =2. 1Ω,R Гофф =4.5Ω, V ГЭ =±15 V,T ж =25 °C

200

н

t R

Күтерілу уақыты

135

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1050

н

t F

Күз мезгілі

130

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

136

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

160

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц = 1200А, R Қон =2. 1Ω,R Гофф =4.5Ω, V ГЭ =±15 V,T ж = 125°C

220

н

t R

Күтерілу уақыты

190

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1150

н

t F

Күз мезгілі

140

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

184

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

208

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

84.8

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

3.76

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

4500

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.7

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 1200A

t ж =25 °C

1.65

2.20

V

t ж =125 °C

1.75

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F = 1200А,

V R =600В,

R Қон =2. 1Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

400

μC

t ж =125 °C

680

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

1400

А

t ж =125 °C

1840

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

160

МЖ

t ж =125 °C

296

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

23.4

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

46.1

K/kW

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

6

K/kW