IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD1200HFL120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

1900

1200

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

2400

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

1200

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

2400

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

6.41

кв

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жоғарғы түйісу температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасы

1.8 дейінАуысу2.1

Ауысу

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ8 бұрандасы

8,0-денАуысу10

n.m

Монументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

4.25-тен 5.75

Ауысу

g

салмағыАуысуМодуль

1500

g

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=48.0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.4

Ауысу

7.4

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.95

2.40

Ауысу

v

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.10

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=Ауысу1200А,   RҚон=2.Ауысу1Ω,RГофф=4.5Ω,vГЭ=±15АуысуV,Tj=25°C

Ауысу

200

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

135

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1050

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

130

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

136

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

160

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=Ауысу1200А,   RҚон=2.Ауысу1Ω,RГофф=4.5Ω,vГЭ=±15АуысуV,Tj=Ауысу125°C

Ауысу

220

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

190

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1150

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

140

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

184

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

208

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

84.8

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

3.76

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

4500

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.7

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.18

Ауысу

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу1200A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.20

v

tj=125°C

Ауысу

1.75

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=Ауысу1200А,

vr=600В,

rҚон=2.Ауысу1Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

400

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

680

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

1400

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

1840

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

160

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

296

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

23.4

K/kW

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

46.1

K/kW

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

6

Ауысу

K/kW