IGBT Модулі,1200V 1200A
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | сипаттама | GD1200HFL120C3S | бірліктері |
vCES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | v |
vГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ± 20 | v |
ic | Жинағыш тоғысы @tc=25°C @ Тc=Ауысу100°C | 1900 1200 | a) |
iсм | Импульстік коллектор тогы tp= 1мс | 2400 | a) |
if | Диодты үздіксіз алға бұружалға алу | 1200 | a) |
iм-ге | Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс | 2400 | a) |
pd | Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C | 6.41 | кв |
tjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | °C |
tжіп | Жоғарғы түйісу температурасы | -40-дан +150-ге дейін | °C |
tЖТГ | сақтау температурасыдиапазоны | -40-дан +125-ге дейін | °C |
vISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут | 4000 | v |
Ауысу м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасы | 1.8 дейінАуысу2.1 | Ауысу |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ8 бұрандасы | 8,0-денАуысу10 | n.m | |
Монументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы | 4.25-тен 5.75 | Ауысу | |
g | салмағыАуысуМодуль | 1500 | g |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуIGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Белгілері
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
v(BR)CES | Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі | tj=25°C | 1200 | Ауысу | Ауысу | v |
iCES | ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды | vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C | Ауысу | Ауысу | 5.0 | ана |
iГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды | vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | Ауысу | 400 | н |
Өздік ерекшеліктері туралы
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
vГЭ(лық) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу | ic=48.0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C | 5.4 | Ауысу | 7.4 | v |
Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) | Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | 1.95 | 2.40 | Ауысу v |
ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C | Ауысу | 2.10 | Ауысу |
Өзгерту сипаттамалары
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=Ауысу1200А, RҚон=2.Ауысу1Ω,RГофф=4.5Ω,vГЭ=±15АуысуV,Tj=25°C | Ауысу | 200 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 135 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 1050 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 130 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 136 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 160 | Ауысу | МЖ | |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=Ауысу1200А, RҚон=2.Ауысу1Ω,RГофф=4.5Ω,vГЭ=±15АуысуV,Tj=Ауысу125°C | Ауысу | 220 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 190 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 1150 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 140 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 184 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 208 | Ауысу | МЖ | |
cлар | Кіріс сыйымдылығы | vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В | Ауысу | 84.8 | Ауысу | НФ |
cре | Кері ауыстыру Қуаттылық | Ауысу | 3.76 | Ауысу | НФ | |
Ауысу isc | SC деректері | tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV, tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В | Ауысу | 4500 | Ауысу | a) |
rГинт | Ішкі қақпаның кедергісілық | Ауысу | Ауысу | 2.7 | Ауысу | О |
Менлы | Айналадағы индуктивтілік | Ауысу | Ауысу | 20 | Ауысу | nH |
Ауысу rCC+EE | Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке | Ауысу | Ауысу | Ауысу 0.18 | Ауысу | Ауысу mΩ |
Ауысу
Ауысу
АуысуэлектрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері | |
vf | Алға қарай диод кернеу | if=Ауысу1200A | tj=25°C | Ауысу | 1.65 | 2.20 | v |
tj=125°C | Ауысу | 1.75 | Ауысу | ||||
qr | Қайта қалпына келтірілген айыппұл | if=Ауысу1200А, vr=600В, rҚон=2.Ауысу1Ω, vГЭ=-15В | tj=25°C | Ауысу | 400 | Ауысу | μC |
tj=125°C | Ауысу | 680 | Ауысу | ||||
irm | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | tj=25°C | Ауысу | 1400 | Ауысу | a) | |
tj=125°C | Ауысу | 1840 | Ауысу | ||||
ерек | Қайта қалпына келтіруэнергия | tj=25°C | Ауысу | 160 | Ауысу | МЖ | |
tj=125°C | Ауысу | 296 | Ауысу |
Ауысу
АуысуЖылу сипаттамаларыics
Ауысу
Символ | параметр | Тип. | ең көп. | бірліктері |
rθЖК | Қатысу (IGB бойынша)Т) | Ауысу | 23.4 | K/kW |
rθЖК | Құрамына байланысты (D-ға)йод) | Ауысу | 46.1 | K/kW |
rθКС | Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік) | 6 | Ауысу | K/kW |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.