IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

iКН

Коллекторды іске асырурент

1000

a)

ic

Жинағыш тогы @ Tf=75лыc

765

a)

iCRM

ҚайталанатынАуысуШұңқырыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtvjop

2000

a)

pd

Максималды қуат таратулықАуысу@tf=75лыc,tj=175лыc

1515

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

iБФ

Коллекторды іске асырурент

1000

a)

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

765

a)

iҚРМ

ҚайталанатынАуысуШұңқырыАуысуАлғаАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtvjop

2000

a)

iFSM

Ағын Алға Ағым  tp=10ms  @ Tvj=25лыc@ Tvj=150лыc

4100

3000

a)

i2t

i2t-құн,tp=10мс@tvj=25лыC @ Tvj=150лыc

84000

45000

a)2s

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tvjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Изоляция Кернеуі  RMS,f=50Hz,t=1мин

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic=1000A,VГЭ=15В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

1.45

1.90

Ауысу

Ауысу

v

ic=1000A,VГЭ=15В,Ауысуtvj=125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

ic=1000A,VГЭ=15В,Ауысуtvj=175лыc

Ауысу

1.80

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtvj=25лыc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

51.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.36

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

13.6

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tvj=25лыc

Ауысу

330

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

842

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

84

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

144

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

87.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tvj=125лыc

Ауысу

373

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

155

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

915

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

135

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

186

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

104

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tvj=175лыc

Ауысу

390

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

172

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

950

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

162

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

209

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

114

Ауысу

МЖ

Ауысу

Ауысу

isc

Ауысу

Ауысу

SC деректері

tp≤8μs,VГЭ=15В,

tvj=150лыC,VCC=800V,Ауысу

vКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

3200

Ауысу

Ауысу

a)

tp≤6μs,VГЭ=15В,

tvj=175лыC,VCC=800V,Ауысу

vКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

3000

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диодАуысукернеу

if=1000A,VГЭ=0В,Тvj=25лыc

Ауысу

1.60

2.05

Ауысу

v

if=1000A,VГЭ=0В,Тvj=125лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

if=1000A,VГЭ=0В,Тvj=175лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=25лыc

Ауысу

91.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

441

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

26.3

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,

tvj=125лыc

Ауысу

141

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

493

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

42.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,

tvj=175лыc

Ауысу

174

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

536

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

52.4

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.80

Ауысу

mΩ

Ауысу

rТЖЖ

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...салқындатуАуысуСұйықтық(perIGBT)Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойыншайод)Ауысу△V/△t=10,0dm3/минут,tf=75лыc

Ауысу

Ауысу

0.066Ауысу0.092

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0Ауысу3.0

Ауысу

6.0Ауысу6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

400

Ауысу

g

p

Максималды қысымАуысусалқындату контурында

Ауысу

Ауысу

3

қапшық

∆p

Салқындату контурындағы қысымның төмендеуіқайырма

∆V/∆t=10.0dm3/мин;Tf=25лыC;СалқындатуАуысуСұйық=50% Су/50% Этиленгликоль

Ауысу

47

Ауысу

мбар