IGBT Дискретті

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыC @ Tc=100лыc

150

75

a)

iсм

қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtvjmax

225

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tvj=175лыc

852

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

75

a)

iм-ге

қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtvjmax

225

a)

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

tvjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

лыc

ts

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 ммүшінАуысу10с

260

лыc

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic=75А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

1.75

2.20

Ауысу

Ауысу

v

ic=75А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=150лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

ic=75А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=175лыc

Ауысу

2.20

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=3,00ана,vлы=vГЭ,Ауысуtvj=25лыc

5.0

5.8

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

250

μA

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

100

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

2.0

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

6.58

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

0.40

Ауысу

Ауысу

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.19

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

0.49

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=75А,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,АуысуLs=40nH,

tvj=25лыc

Ауысу

41

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

135

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

87

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

255

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

12.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

3.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=75А,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,АуысуLs=40nH,

tvj=150лыc

Ауысу

46

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

164

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

354

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

17.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

6.3

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=75А,Ауысуrg=4.7Ω,

vГЭ=±15В,АуысуLs=40nH,

tvj=175лыc

Ауысу

46

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

167

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

372

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

18.7

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

6.7

Ауысу

МЖ

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В,

tvj=175лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

300

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диодАуысукернеу

if=75А,ВГЭ=0В,Тvj=25лыc

Ауысу

1.75

2.20

Ауысу

v

if=75А,ВГЭ=0В,Тvj=150лыc

Ауысу

1.75

Ауысу

if=75А,ВГЭ=0В,Тvj=175лыc

Ауысу

1.75

Ауысу

trr

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

vr= 600В,If=75А,

-di/dt=370A/μs,VГЭ=-15V,АуысуLs=40nH,

tvj=25лыc

Ауысу

267

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

4.2

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

22

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

1.1

Ауысу

МЖ

trr

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

vr= 600В,If=75А,

-di/dt=340A/μs,VГЭ=-15V,АуысуLs=40nH,

tvj=150лыc

Ауысу

432

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

9.80

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

33

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

2.7

Ауысу

МЖ

trr

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

vr= 600В,If=75А,

-di/dt=320A/μs,VГЭ=-15V,АуысуLs=40nH,

tvj=175лыc

Ауысу

466

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

11.2

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

35

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

3.1

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.176Ауысу0.371

К/W

rТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

Ауысу

40

Ауысу

К/W