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caratteristiche
●SPT+chip-set per bassa commutazione perdite |
●basso vCEsat |
●Bassa potenza di pilotaggio potenza |
●APiastra base in lSiC per alta potenza cciclabilità capabilit- Sì |
●Sottostrato in AlN per bassa termica resistenza |
Applicazione tipica
●Azionamenti di trazione |
●Chopper DC |
●Inverter di media tensioneraddrizzatori/convertitori |
Valori massimi nominali
parametro |
Il simbolo |
condizioni |
Min |
- Max |
unità |
Tensione tra collettore ed emittente |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
3300 |
v |
Corrente di collettore DC |
- - |
TC =80°C |
|
400 |
a) |
Corrente di picco del collettore |
MIC |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
800 |
a) |
Tensione del portatore-emittente |
VGES |
|
-20 |
20 |
v |
Dissipazione totale di potenza |
Ptot |
TC =25°C, per interruttore (IGBT) |
|
7100 |
- Sì |
Corrente continua in avanti |
Se |
|
|
400 |
a) |
Corrente di picco in avanti |
IFRM |
tP=1 ms |
|
800 |
a) |
Corrente di sovratensione |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà |
|
3000 |
a) |
SOA di cortocircuito IGBT |
tpsc |
VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Tensione di isolamento |
Visol |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
v |
temperatura di giunzione |
Tvj |
|
|
150 |
°C |
Temperatura di giunzione operativa |
Tvj ((op) |
|
-50 |
150 |
°C |
Temperatura della cassa |
tc |
|
-50 |
125 |
°C |
temperatura di conservazione |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
Coppie di montaggio |
ms |
Base-radiatore- Sì.Viti M6 |
4 |
6 |
nm |
Mt1 |
Terminali principali- Sì.per il riciclaggio di materie prime |
8 |
10 |
Valori caratteristici IGBT
parametro |
Il simbolo |
condizioni |
Min |
tipo |
- Max |
unità |
|
Tensione di rottura del collettore (- emettitore) |
V ((BR) CES |
VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C |
3300 |
|
|
v |
|
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCEsat |
IC =400A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
3.0 |
|
v |
Tvj=125°C |
|
3.6 |
|
v |
|||
Corrente di taglio del collettore |
ICES |
VCE =3300V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
5 |
- Mamma! |
Tvj=125°C |
|
|
50 |
- Mamma! |
|||
Corrente di perdita di portata |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
- No |
|
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
v |
|
Importo della porta |
CdG |
IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V |
|
4.0 |
|
μC |
|
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
|
65 |
|
NF |
|
Capacità di uscita |
Coes |
|
3.7 |
|
|||
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
0.8 |
|
|||
Tempo di ritardo di accensione |
Td (in) |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 (in inglese) |
Tvj = 25 °C |
|
650 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
|
750 |
|
||||
Tempo di risalita |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
400 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
470 |
|
||||
Tempo di ritardo di spegnimento |
Td (off) |
Tvj = 25 °C |
|
1600 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
||||
Tempo di caduta |
Tf |
Tvj = 25 °C |
|
1100 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
1200 |
|
||||
Energia di perdita di commutazione all'accensione |
EON |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
mj |
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
||||
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
1300 |
|
mj |
|
Tvj = 125 °C |
|
1700 |
|
||||
Corrente di cortocircuito |
sc sc |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
|
2500 |
|
a) |
Valori caratteristici dei diodi
parametro |
Il simbolo |
condizioni |
Min |
tipo |
- Max |
unità |
|
Voltaggio di avanzamento |
VF |
IF =400A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
v |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
||||
Corrente di recupero inversa |
- Non lo so. |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
a) |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
||||
Importo recuperato |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
|
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
||||
Tempo di recupero inverso |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
||||
Energia di recupero inverso |
Erec |
Tvj =25 °C |
|
850 |
|
mj |
|
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
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