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Modulo IGBT, 1200V 1200A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
Descrizione |
GD1200SGT120A3S |
unità |
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
Ic |
Collettore corrente @tc= 25°C @ Tc= 80°C |
2100 1200 |
a) |
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp= 1ms |
2400 |
a) |
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
1200 |
a) |
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
2400 |
a) |
pd |
Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C |
7.61 |
kW |
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
°C |
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +125 |
°C |
viso |
tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min |
2500 |
v |
montamento coppia |
Vite del Terminale di Segnale:M4 |
1.8 a 2.1 |
|
Vite del Terminale di Potenza:M8 |
8.0 a 10 |
n.m. |
|
Fabbricazione di dispositivi di controllo: |
4.25 a 5.75 |
|
elettrico caratteristiche di Igbt tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Non caratteristiche
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
v(br)CES |
Collettore-emittente tensione di rottura |
tj= 25°C |
1200 |
|
|
v |
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C |
|
|
400 |
- No |
Sulle caratteristiche
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 48- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 125°C |
|
2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 1200A, rGon=1,8Ω,rGoff= 0,62Ω,vGE= ± 15V,Tj= 25°C |
|
550 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
230 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
830 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
160 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
- Sì. |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
- Sì. |
|
mj |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 1200A,- Non lo so. rGon= 1,8Ω,RGoff= 0,62Ω,vGE= ± 15V,Tj= 125°C |
|
650 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
240 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
970 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
190 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
246 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
189 |
|
mj |
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
|
85.5 |
|
NF |
c- Non |
Capacità di uscita |
|
4.48 |
|
NF |
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
3.87 |
|
NF |
|
Isc |
Dati SC |
tp≤ 10 μs,VGE=15 v, tj= 125°C, v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V |
|
4800 |
|
a) |
rGint |
Porta interna resistenza |
|
|
1.9 |
|
Oh |
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
|
15 |
|
- Non lo so. |
rCC+EE |
Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
elettrico caratteristiche di Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 1200a |
tj= 25°C |
|
1.65 |
2.05 |
v |
tj= 125°C |
|
1.65 |
|
||||
Qr |
Ricostruito carico |
If= 1200A, vr= 600V, rGon= 0,6Ω, vGE= 15V |
tj= 25°C |
|
112 |
|
μC |
tj= 125°C |
|
224 |
|
||||
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
tj= 25°C |
|
850 |
|
a) |
|
tj= 125°C |
|
1070 |
|
||||
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
tj= 25°C |
|
48.0 |
|
mj |
|
tj= 125°C |
|
96.0 |
|
Caratteristica termicaics
Il simbolo |
parametro |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
rθJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) |
|
19.7 |
K/kW |
rθJC |
Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
31.3 |
K/kW |
rθcss |
Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito) |
8 |
|
K/kW |
peso |
peso- Non lo so.modulo |
1050 |
|
g |
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