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Modulo IGBT,1200V 2400A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
Descrizione |
GD2400SGT120C4S |
unità |
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
Ic |
Collettore corrente @tc= 25°C @ Tc= 100°C |
3800 2400 |
a) |
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp= 1ms |
4800 |
a) |
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
2400 |
a) |
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
4800 |
a) |
pd |
Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C |
12.9 |
kW |
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
°C |
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
°C |
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +125 |
°C |
viso |
tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min |
3400 |
v |
montamento coppia |
Vite del Terminale di Segnale:M4 |
1.8 a 2.1 |
|
Vite del Terminale di Potenza:M8 |
8.0 a 10 |
n.m. |
|
Fabbricazione di dispositivi di controllo: |
4.25 a 5.75 |
|
|
peso |
Peso di modulo |
2300 |
g |
elettrico caratteristiche di Igbt tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Non caratteristiche
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
v(br)CES |
Collettore-emittente tensione di rottura |
tj= 25°C |
1200 |
|
|
v |
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C |
|
|
400 |
- No |
Sulle caratteristiche
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic=96- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 125°C |
|
2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.2Ω, rGoff=0.3Ω, vGE= ± 15V,Tj= 25°C |
|
600 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
215 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
810 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
145 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
- Sì. |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
- Sì. |
|
mj |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.2Ω, rGoff=0.3Ω, vGE= ± 15V,Tj= 125°C |
|
695 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
235 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
970 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
182 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
488 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
382 |
|
mj |
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
|
173 |
|
NF |
c- Non |
Capacità di uscita |
|
9.05 |
|
NF |
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
7.85 |
|
NF |
|
Isc |
Dati SC |
tp≤ 10 μs,VGE=15 v, tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V |
|
9600 |
|
a) |
Qg |
Importo della porta |
v- Cc= 600V,Ic=2400A, vGE=-15 - Non lo so.+15V |
|
23.0 |
|
μC |
rGint |
Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
|
0.42 |
|
Oh |
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
|
10 |
|
- Non lo so. |
rCC+EE |
Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip |
|
|
0.12 |
|
mΩ |
elettrico caratteristiche di Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If=2400A vGE=0V |
tj= 25°C |
|
1.65 |
2.05 |
v |
tj= 125°C |
|
1.65 |
|
||||
Qr |
Ricostruito carico |
If=2400A, vr= 600V, rGon=0.3Ω, vGE= 15V |
tj= 25°C |
|
240 |
|
μC |
tj= 125°C |
|
460 |
|
||||
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
tj= 25°C |
|
1650 |
|
a) |
|
tj= 125°C |
|
2150 |
|
||||
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
tj= 25°C |
|
- Sì. |
|
mj |
|
tj= 125°C |
|
208 |
|
Caratteristica termicaics
Il simbolo |
parametro |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
rθJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) |
|
11.6 |
K/kW |
rθJC |
Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
19.7 |
K/kW |
rθcss |
Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito) |
4 |
|
K/kW |
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