Modulo IGBT,3600V 1700V
caratteristiche
●Set di chip SPT+ per basse perdite di commutazione
●Basso VCEsat
●Bassa potenza di pilotaggio
●Piastra base in AlSiC per alta capacità di ciclo di potenza
●Sottostrato in AlN per bassa resistenza termica
Applicazione tipica
●Azionamenti di trazione
●Chopper DC
●Inverter/convertitori a media tensione
Valori massimi nominali
parametro |
Il simbolo |
condizioni |
Min |
- Max |
unità |
Tensione tra collettore ed emittente |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
1700 |
v |
Corrente di collettore DC |
- - |
TC =80°C |
|
3600 |
a) |
Corrente di picco del collettore |
MIC |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
7200 |
a) |
Tensione del portatore-emittente |
VGES |
|
-20 |
20 |
v |
Dissipazione totale di potenza |
Ptot |
TC =25°C, per interruttore (IGBT) |
|
17800 |
- Sì |
Corrente continua in avanti |
Se |
|
|
3600 |
a) |
Corrente di picco in avanti |
IFRM |
tP=1 ms |
|
7200 |
a) |
Corrente di sovratensione |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà |
|
18000 |
a) |
IGBT cortocircuito SOA IGBT |
tpsc |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Tensione di isolamento |
Visol |
1min, f=50Hz |
|
4000 |
v |
temperatura di giunzione |
Tvj |
|
|
175 |
°C |
Temperatura di giunzione operativa |
Tvj ((op) |
|
-50 |
150 |
°C |
Temperatura della cassa |
tc |
|
-50 |
125 |
°C |
temperatura di conservazione |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
Coppie di montaggio |
ms |
|
4 |
6 |
nm |
Mt1 |
|
8 |
10 |
||
Mt2 |
|
2 |
3 |
Valori caratteristici IGBT
parametro |
Il simbolo |
condizioni |
Min |
tipo |
- Max |
unità |
|
Rottura del collettore (- emettitore) tensione |
V ((BR) CES |
VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
1700 |
|
|
v |
|
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCEsat |
IC =3600A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.5 |
|
v |
Tvj=125°C |
|
3.0 |
|
v |
|||
Tvj=150°C |
|
3.1 |
|
v |
|||
Corrente di taglio del collettore |
ICES |
VCE =1700V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
- Mamma! |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
- Mamma! |
|||
Tvj=150°C |
|
170 |
|
- Mamma! |
|||
Corrente di perdita di portata |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
- No |
|
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.3 |
|
7.3 |
v |
|
Importo della porta |
CdG |
IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
|
21.0 |
|
μC |
|
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
|
239 |
|
NF |
|
Capacità di uscita |
Coes |
|
20.9 |
|
|||
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
9.24 |
|
|||
Tempo di ritardo di accensione |
Td (in) |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
|
1200 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
1600 |
|
||||
Tempo di risalita |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
1600 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
1700 |
|
||||
Tempo di ritardo di spegnimento |
Td (off) |
Tvj = 25 °C |
|
3000 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
3500 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
3700 |
|
||||
Tempo di caduta |
Tf |
Tvj = 25 °C |
|
500 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
560 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
620 |
|
||||
Energia di perdita di commutazione all'accensione |
EON |
Tvj = 25 °C |
|
2700 |
|
mj |
|
Tvj = 125 °C |
|
2900 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
3200 |
|
||||
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
3800 |
|
mj |
|
Tvj = 125 °C |
|
4100 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
4400 |
|
||||
Corrente di cortocircuito |
sc sc |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
|
10000 |
|
a) |
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