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di potenza superiore a 600 V

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YMIF3600-17

Modulo IGBT,3600V 1700V

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF3600-17/TIM3600E2SM17-TSA000
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

●Set di chip SPT+ per basse perdite di commutazione

●Basso VCEsat

●Bassa potenza di pilotaggio

●Piastra base in AlSiC per alta capacità di ciclo di potenza

●Sottostrato in AlN per bassa resistenza termica

 

Applicazione tipica

●Azionamenti di trazione

●Chopper DC

●Inverter/convertitori a media tensione

 

Valori massimi nominali

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

- Max

unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

 

1700

v

Corrente di collettore DC

- -

TC =80°C

 

3600

a)

Corrente di picco del collettore

MIC

tp=1ms,Tc=80°C

 

7200

a)

Tensione del portatore-emittente

VGES

 

-20

20

v

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC =25°C, per interruttore (IGBT)

 

17800

- Sì

Corrente continua in avanti

Se

 

 

3600

a)

Corrente di picco in avanti

IFRM

tP=1 ms

 

7200

a)

Corrente di sovratensione

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà

 

18000

a)

IGBT cortocircuito SOA IGBT

 

tpsc

 

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

 

 

10

 

μs

Tensione di isolamento

Visol

1min, f=50Hz

 

4000

v

temperatura di giunzione

Tvj

 

 

175

°C

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

 

-50

150

°C

Temperatura della cassa

tc

 

-50

125

°C

temperatura di conservazione

TSTG

 

-50

125

°C

Coppie di montaggio

ms

 

4

6

 

nm

Mt1

 

8

10

Mt2

 

2

3

 

Valori caratteristici IGBT

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

tipo

- Max

unità

Rottura del collettore (- emettitore) tensione

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

 

 

v

Tensione di saturazione del collettore-emettitore 

 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

 

2.5

 

v

Tvj=125°C

 

3.0

 

v

Tvj=150°C

 

3.1

 

v

Corrente di taglio del collettore 

 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

 

 

10

- Mamma!

Tvj=125°C

 

 

100

- Mamma!

Tvj=150°C

 

170

 

- Mamma!

Corrente di perdita di portata 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

 

500

- No

Tensione di soglia del portale-emittente 

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

 

7.3

v

Importo della porta 

CdG

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

 

21.0

 

μC

Capacità di ingresso 

- Cies

 

 

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

 

239

 

 

 

 

NF

Capacità di uscita 

Coes

 

20.9

 

Capacità di trasferimento inverso 

Cres

 

9.24

 

Tempo di ritardo di accensione 

 

Td (in)

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω ,  VGE =±15V, Lσ=280nH, 

Tvj =   25 °C

 

1200

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

1500

 

Tvj = 150 °C

 

1600

 

Tempo di risalita 

 

tr

Tvj =   25 °C

 

1400

 

Tvj = 125 °C

 

1600

 

Tvj = 150 °C

 

1700

 

Tempo di ritardo di spegnimento 

 

Td (off)

Tvj =   25 °C

 

3000

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

3500

 

Tvj = 150 °C

 

3700

 

Tempo di caduta 

 

Tf

Tvj =   25 °C

 

500

 

Tvj = 125 °C

 

560

 

Tvj = 150 °C

 

620

 

Energia di perdita di commutazione all'accensione 

 

EON

Tvj =   25 °C

 

2700

 

 

mj

Tvj = 125 °C

 

2900

 

Tvj = 150 °C

 

3200

 

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento 

 

EOFF

Tvj =   25 °C

 

3800

 

 

mj

Tvj = 125 °C

 

4100

 

Tvj = 150 °C

 

4400

 

Corrente di cortocircuito 

sc sc

tpsc  ≤ 10μs, VGE =15V,   Tvj  = 125°C,VCC = 1200V

 

10000

 

a)

 

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