Modulo IGBT，1700V 650A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti Nota
Igbt
|
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
|
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1700 |
v |
|
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
|
Ic |
Corrente del collettore @ Tc= 25oc @ Tc= 100oc |
1073 650 |
a) |
|
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
1300 |
a) |
|
pd |
Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc |
4.2 |
kW |
Diodo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
|
vRRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1700 |
v |
|
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
650 |
a) |
|
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
1300 |
a) |
modulo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
|
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
oc |
|
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
oc |
|
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +150 |
oc |
|
viso |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic=650A,VGE= 15V, tj= 25oc |
|
1.90 |
2.35 |
v |
|
Ic=650A,VGE= 15V, tj= 125oc |
|
2.35 |
|
|||
|
Ic=650A,VGE= 15V, tj= 150oc |
|
2.45 |
|
|||
|
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
|
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
|
400 |
- No |
|
rGint |
Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
|
2.3 |
|
Oh |
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
|
72.3 |
|
NF |
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.75 |
|
NF |
|
|
Qg |
Importo della porta |
vGE- Sì. 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 25oc |
|
468 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
86 |
|
NS |
|
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
850 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
363 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
226 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
161 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 125oc |
|
480 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
110 |
|
NS |
|
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
1031 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
600 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
338 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
226 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 150oc |
|
480 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
120 |
|
NS |
|
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
1040 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
684 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
368 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
242 |
|
mj |
|
|
Isc |
Dati SC |
tp≤ 10 μs,VGE= 15V, tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V |
|
2600 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If=650A,VGE=0V,Tj= 25oc |
|
1.85 |
2.30 |
v |
|
If=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.98 |
|
|||
|
If=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.02 |
|
|||
|
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc |
|
176 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
765 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
87.4 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc |
|
292 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
798 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
159 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc |
|
341 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
805 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
192 |
|
mj |
NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
r25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
ΔR/R |
Deviazione di r100 |
tc= 100 oC,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
potenza dissolvimento |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
18 |
|
- Non lo so. |
|
rCC+EE |
Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip |
|
0.30 |
|
mΩ |
|
rilJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
|
rthCH |
Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (permodulo) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
|
m |
Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
n.m. |
|
g |
peso di modulo |
|
810 |
|
g |
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