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di potenza superiore a 600 V

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YMIF250-65

Modulo IGBT,6500V 250A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF250-65
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Set di chip SPT+ per basse perdite di commutazione
  • Basso VCEsat
  • Bassa potenza di pilotaggio
  • Piastra base in AlSiC per alta ciclicità di potenza capacità
  • Substrato in AlN per bassa resistenza termica resistenza

tipica applicazione

  • Motori di trazione
  • Chopper DC
  • Inverter/convertitori ad alta tensione

Valori massimi nominali

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

- Max

unità

Collettore-emittente tensione 

vCES

vGE=0V,TVj ≥ 25°C

 

6500

v

Corrente di collettore DC 

Ic

tc =80°C

 

250

a)

Corrente di picco del collettore 

Icm

tp=1ms,Tc=80°C

 

500

a)

Tensione del portatore-emittente 

vGES

 

-20

20

v

potenza totale dissolvimento 

p- Non

tc=25°C,perswitch(IGBT)

 

3200

- Sì

Corrente continua in avanti 

If

 

 

250

a)

Picco in avanti corrente 

IMF

tP=1 ms

 

500

a)

Corto IGBT circuito SOA 

 

tpsc

v- Cc =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V vGE 15V,Tvj≤ 125°C

 

 

10

 

μs

Tensione di isolamento 

visolato

1min, f=50Hz

 

10200

v

temperatura di giunzione 

tVj

 

 

125

°C

Temperatura di giunzione operativa 

tvj(op)

 

-50

125

°C

Temperatura della cassa 

tc

 

-50

125

°C

temperatura di conservazione 

tSTG

 

-50

125

°C

Coppie di montaggio 

ms

 

4

6

nm

mt1

 

8

10

 

 

Valori caratteristici IGBT

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

tipo

- Max

unità

Collettore (- emettitore) tensione di rottura

 

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

 

6500

 

 

 

v

Collettore-emittente Saturazione- Non lo so.tensione

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

v

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

v

Collettore corrente di interruzione 

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

 

 

4

- Mamma!

Tvj=125°C

 

 

50

- Mamma!

Porta corrente di perdita 

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

 

500

- No

Limita di emissione della porta tensione

v GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

v

Tempo di ritardo di accensione 

tD (in)

 

 

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω - Sì.

RGoff=33Ω - Sì.

CGE=100nF

VGE=± 15V,

Ls=280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

1

 

 

 

μ s

Tvj = 125 °c

 

0.94

 

alzamento tempo 

tr

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

0.76

 

Tvj = 125 °c

 

0.81

 

Tempo di ritardo di spegnimento 

td ((off)

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

3.9

 

 

 

μ s

Tvj = 125 °c

 

4.2

 

Tempo di caduta 

tf

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

2.2

 

Tvj = 125 °c

 

2.8

 

Accendere il comando energia persa 

EON

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

3081

 

mj

Tvj = 125 °c

 

3900

 

Sconto di accensione energia persa 

espento

Tvj =- Non lo so.25 °c

 

2100

 

mj

Tvj = 125 °c

 

1236

 

corto corrente di circuito 

 

Isc

tpsc - Non lo so.10 μm s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V - Cc =

4400V

 

Tvj = 125 °c

 

 

940

 

 

a)

 

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