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3300V

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YMIF1200-33

Modulo IGBT, 3300V 1200A,

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF1200-33
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • SPT+chip-set per perdite di commutazione ultra basse
  • Basso VCE saturatore
  • Basso potere di guida
  • Piastra di base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
  • AlN per bassa resistenza termica

 

Applicazione tipica

  • Fiumi di trazione
  • Chopper DC
  • Invertitori/convertitori a media tensione
  • Sistema UPS a media tensione
  • Sistema eolico

 

Valori massimi nominali

parametro

Il simbolo

condizioni

min

mascia

unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

 

3300

v

dc Corrente del collettore

- -

TC = 80 °C

 

1200

a)

Corrente di picco del collettore

MIC

tp = 1 ms,Tc = 80°C

 

2400

a)

Tensione dell'emittente di porta

VGE

 

-20

20

v

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC = 25°C, per interruttore ((IGBT)

 

10500

- Sì

Corrente continua in avanti

Se

 

 

1200

a)

Corrente di picco in avanti

IFRM

tp = 1 ms

 

2400

a)

Corrente di sovratensione

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, mezza onda sinusoidale

 

9000

a)

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

 

10

μs

Tensione di isolamento

Visol

1 min, f = 50 Hz

 

10200

v

temperatura di giunzione

Tvj

 

 

150

°c

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

 

-50

125

°c

Temperatura della cassa

tc

 

-50

125

°c

temperatura di conservazione

TSTG

 

-50

125

°c

 

Coppie di montaggio

M s

Fuoco di base, viti M6

4

6

 

nm

Mt1

Termini principali, viti M8,

8

10

Mt2

Termini ausiliari, viti M6

2

3

 

Caratteristica IGBT

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

tipo

- Max

unità

Tensione di rottura del collettore (-emettitore)

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

 

3300

 

 

 

v

Tensione di saturazione dell'emettitore del collettore

 

VCE sat

 

C = 1200 A, VGE = 15 V

Tvj=25°C

 

3.1

3.4

v

Tvj=125°C

 

3.8

4.3

v

Corrente di taglio del collettore

ICES

 

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

 

 

12

- Mamma!

Tvj=125°C

 

 

120

- Mamma!

Corrente di perdita di portata

IGES

 

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj = 125 °C

-500

 

500

 

- No

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.5

 

7.5

v

Importo della porta

CdG

IC = 1200 A VCE = 1800V VGE = -15V..15V

 

12.1

 

μC

Capacità di ingresso

- Cies

 

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

 

187

 

NF

Capacità di uscita

Coes

 

11.57

 

NF

Capacità di trasferimento inverso

Cres

 

2.22

 

NF

Tempo di ritardo di accensione

 

Td (in)

 

 

 

 

 

VCC = 1800 V, IC = 1200 A,

RG = 3,9Ω, VGE = ± 15V

L σ = 280nH, carico induttivo

Tvj=25°C

 

750

 

NS

Tvj=125°C

 

750

 

NS

Tempo di risalita

tr

Tvj=25°C

 

400

 

NS

Tvj=125°C

 

470

 

NS

Tempo di ritardo di spegnimento

Td (off)

Tvj=25°C

 

1600

 

NS

Tvj=125°C

 

1800

 

NS

Tempo di caduta

Tf

Tvj=25°C

 

1100

 

NS

Tvj=125°C

 

1200

 

NS

Perdita di accensione

 

EON

Tvj=25°C

 

1400

 

mj

Tvj=125°C

 

1800

 

mj

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento

 

EOFF

Tvj=25°C

 

1300

 

mj

Tvj=125°C

 

1700

 

mj

Corrente di cortocircuito

 

sc sc

VCC = 2500 V, VGE = 15 V, L σ = 280nH, carico induttivo

 

 

5000

 

 

a)

 

Caratteristica del diodo

parametro

Il simbolo

condizioni

Min

tipo

- Max

unità

Voltaggio di avanzamento

 

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

 

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

 

2.35

2.6

v

Corrente di recupero inversa

 

- Non lo so.

 

 

 

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2,3Ω,VGE=±15V, L σ = 280nH, carico induttivo

Tvj = 25 °C

 

900

 

a)

Tvj = 125 °C

 

1000

 

a)

Importo recuperato

 

Qrr

Tvj = 25 °C

 

700

 

μC

Tvj = 125 °C

 

1000

 

μC

Tempo di recupero inverso

 

trr

Tvj = 25 °C

 

850

 

NS

Tvj = 125 °C

 

2200

 

NS

Energia di recupero inverso

 

Erec

Tvj = 25 °C

 

850

 

mj

Tvj = 125 °C

 

1300

 

mj

 

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