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chiave parametri
|
vCES |
3300 v |
|
v- -(seduto) |
(tipico) 2.40 v |
|
Ic |
(massimo) 1000 a) |
|
IC(RM) |
(massimo) 2000 a) |
applicazioni tipiche
applicazioni tipiche
Valore Massimo Assoluto
|
(Simbolo) |
(Parametro) |
(Condizioni di prova) |
(valore) |
(Unità) |
|
VCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
Tensione del portatore-emittente |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
Corrente tra collettore ed emittente |
TC = 95 °C |
1000 |
a) |
|
IC(PK) |
Corrente di picco del collettore |
t P= 1ms |
2000 |
a) |
|
P max |
Dissipazione di potenza massima del transistor |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
kW |
|
- Non lo so. |
Diodo I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Visol |
Tensione di isolamento per modulo |
Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
Scarica parziale per modulo |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
Caratteristiche Elettriche
|
(Simbolo) |
(Parametro) |
(Condizioni di prova) |
(min) |
(tipico) |
(massimo) |
(Unità) |
|
|
I CES |
Corrente di taglio del collettore |
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
- Mamma! |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
- Mamma! |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
- Mamma! |
|||
|
I GES |
Corrente di perdita di portata |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
Tensione di soglia di ingresso |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
VCE |
(*1) (sat) |
Saturazione del collettore-emittente tensione |
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
Corrente di diodo in avanti |
dc |
|
1000 |
|
a) |
|
|
I FRM |
Corrente di diodo massima in avanti |
t P = 1ms |
|
2000 |
|
a) |
|
|
VF(*1) |
Tensione di diodo in avanti |
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
Capacità di ingresso |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
NF |
|
|
Q g |
Importo della porta |
±15V |
|
17 |
|
μC |
|
|
C res |
Capacità di trasferimento inverso |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
NF |
|
|
L M |
Induttanza del modulo |
|
|
15 |
|
- Non lo so. |
|
|
R INT |
Resistenza interna del transistor |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
|
I SC |
Corrente di cortocircuito, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
a) |
|
|
Td (off) |
Tempo di ritardo di spegnimento |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1800 |
|
NS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
530 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Perdite di energia di spegnimento |
|
1600 |
|
mj |
|
|
Td (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
|
680 |
|
NS |
|
|
t r |
Tempo di risalita |
|
320 |
|
NS |
|
|
EON |
Perdita di energia all'accensione |
|
1240 |
|
mj |
|
|
Q rr |
Carica di recupero inverso del diodo |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
780 |
|
μC |
|
I rr |
Corrente di recupero inverso del diodo |
|
810 |
|
a) |
|
|
E rec |
Energia di recupero inverso del diodo |
|
980 |
|
mj |
|
|
Td (off) |
Tempo di ritardo di spegnimento |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1940 |
|
NS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
580 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Perdite di energia di spegnimento |
|
1950 |
|
mj |
|
|
Td (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
|
660 |
|
NS |
|
|
t r |
Tempo di risalita |
|
340 |
|
NS |
|
|
EON |
Perdita di energia all'accensione |
|
1600 |
|
mj |
|
|
Q rr |
Carica di recupero inverso del diodo |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
1200 |
|
μC |
|
I rr |
Corrente di recupero inverso del diodo |
|
930 |
|
a) |
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