Modulo IGBT, 1700V 1200A
parametri chiave
|
vCES |
1700 |
v |
|
|
v- -(seduto) |
(tipico) |
1.80 |
v |
|
Ic |
(massimo) |
1200 |
a) |
|
IC ((RM) |
(massimo) |
2400 |
a) |
tipica Applicazioni
caratteristiche
Massimo assoluto rating
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(Simbolo) |
(Parametro) |
(Condizioni di prova) |
(valore) |
(Unità) |
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VCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
V GE = 0V, TC= 25。c |
1700 |
v |
|
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
TC= 25。c |
± 20 |
v |
|
I C |
Corrente tra collettore ed emittente |
TC =75 。c |
1200 |
a) |
|
I C ((PK) |
Corrente di picco del collettore |
t P=1ms |
2400 |
a) |
|
P max |
Dissipazione di potenza massima del transistor |
Tvj = 150。C, TC = 25。c |
5.68 |
kW |
|
- Non lo so. |
Diodo I 2t |
VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125。c |
130 |
kA2s |
|
Visol |
Tensione di isolamento per modulo |
(terminali comuni alla piastra base), RMS AC, 1 min, 50Hz, TC= 25。c |
4000 |
v |
|
Q PD |
Scarica parziale per modulo |
IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c |
10 |
pc |
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