di potenza superiore a 600 V

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

valore

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

VGE = 0V, TC = 25 °C

1700

v

VGES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 °C

± 20

v

- -

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 65 °C

1400

a)

IC(PK)

集电极峰值电流

Corrente di picco del collettore

tP=1 ms

2800

a)

Pmax

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

6.25

kW

I2t

Diodo I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Tensione di isolamento - per modulo

Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipico.

- Max. - Cosa?

Unità

ICES

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V,VCE = VCES

1

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

20

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

30

- Mamma!

IGES

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente tensione

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

v

Se

Corrente di diodo in avanti

dc

1400

a)

IFRM

Corrente di picco in avanti del diodo

tP = 1 ms

2800

a)

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

v

sc sc

Corrente di cortocircuito

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

a)

- Cies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

NF

CdG

Importo della porta

±15V

11.7

μC

Cres

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

NF

- Sì.

Induttanza del modulo

10

- Non lo so.

RINT

Resistenza interna del transistor

0.2

mΩ

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

NS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

Tf

- Il tempo scende.Tempo di caduta

Tvj= 25 °C

460

NS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Perdite di energia di spegnimento

Tvj= 25 °C

460

mj

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

NS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Tempo di risalita

Tvj= 25 °C

112

NS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Perdita di energia all'accensione

Tvj= 25 °C

480

mj

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Diodo inverso

tassa di recupero

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

- Non lo so.

Diodo inverso

corrente di recupero

Tvj= 25 °C

790

a)

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Diodo inverso

energia di recupero

Tvj= 25 °C

190

mj

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290