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Modulo IGBT, 1200V 900A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
Ic |
Corrente del collettore @ Tc= 25oc @ Tc= 80oc |
1350 900 |
a) |
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
1800 |
a) |
pd |
Dissipation di potenza massima @ Tj= 150oc |
7.40 |
kW |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
vRRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
v |
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
900 |
a) |
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
1800 |
a) |
modulo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
oc |
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
oc |
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +125 |
oc |
viso |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25oc |
|
2.90 |
3.35 |
v |
Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125oc |
|
3.60 |
|
|||
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 16,0 mA,V- -=VGE, tj= 25oc |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
v |
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
|
400 |
- No |
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
|
53.1 |
|
NF |
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
3.40 |
|
NF |
|
Qg |
Importo della porta |
vGE- Sì. 15…+15V |
|
8.56 |
|
μC |
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1.3Ω, vGE=± 15V,tj= 25oc |
|
90 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
81 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
500 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
55 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
36.8 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
41.3 |
|
mj |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1.3Ω, vGE=± 15V, tj= 125oc |
|
115 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
92 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
550 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
66 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
52.5 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
59.4 |
|
mj |
|
Isc |
Dati SC |
tp≤ 10 μs,VGE= 15V, tj= 125oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V |
|
5200 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 800 A, VGE=0V,Tj= 25oc |
|
1.95 |
2.40 |
v |
If= 800 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.95 |
|
|||
Qr |
Importo recuperato |
v- Cc=900V,If= 800A, - di/dt=9500A/μs,VGE=± 15V, tj= 25oc |
|
56 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
550 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
38.7 |
|
mj |
|
Qr |
Importo recuperato |
v- Cc=900V,If= 800A, - di/dt=9500A/μs,VGE=± 15V, tj= 125oc |
|
148 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
920 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
91.8 |
|
mj |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
12 |
|
- Non lo so. |
rCC+EE |
Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip |
|
0.19 |
|
mΩ |
rθJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
|
16.9 26.2 |
K/kW |
rθcss |
Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo) |
|
19.7 30.6 |
|
K/kW |
rθcss |
Cassa-sink |
|
6.0 |
|
K/kW |
m |
Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
n.m. |
g |
peso di modulo |
|
1500 |
|
g |
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