1200 V

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

1522

900

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

5.24

kW

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

900

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1800

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 25oc

1.70

2.15

v

Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 125oc

1.95

Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 150oc

2.00

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 22,5- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.63

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

93.2

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

2.61

NF

Qg

Importo della porta

vGE=-15 - Non lo so.+15V

6.99

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg=1.6Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

214

NS

tr

Tempo di risalita

150

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

721

NS

tf

Tempo di caduta

206

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

76

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

128

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg=1.6Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

235

NS

tr

Tempo di risalita

161

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

824

NS

tf

Tempo di caduta

412

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

107

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

165

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg=1.6Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

235

NS

tr

Tempo di risalita

161

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

876

NS

tf

Tempo di caduta

464

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

112

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

180

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

3600

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 900 A, VGE=0V,Tj= 25oc

1.90

2.25

v

If= 900 A, VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

If= 900 A, VGE=0V,Tj= 150oc

1.80

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE= 15V tj= 25oc

86

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

475

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

36.1

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE= 15V tj= 125oc

143

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

618

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

71.3

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE= 15V tj= 150oc

185

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

665

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

75.1

mj

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

ΔR/R

Deviazione di r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

potenza

dissolvimento

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

18

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.30

mΩ

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Connessione con il caso (per D)iodio)

28.6

51.9

K/kW

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

14.0

25.3

4.5

K/kW

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

n.m.

g

peso di modulo

825

g