1200 V

Il simbolo

Descrizione

GD800SGT120C3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 80°C

1350

800

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

1600

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

@ Tc= 80°C

800

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1600

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

4.44

kW

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

montamento coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

n.m.

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=32- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25°C

1.70

2.15

v

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125°C

2.00

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 800A, 

rGon=3.6Ω,

rGoff=0.91Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 25°C

250

NS

tr

Tempo di risalita

190

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

90

NS

tf

Tempo di caduta

130

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

58.1

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

85.4

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 800A, rGon=3.6Ω,

rGoff=0.91Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 125°C

260

NS

tr

Tempo di risalita

200

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

810

NS

tf

Tempo di caduta

210

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

85.5

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

126

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

57.7

NF

c- Non

Capacità di uscita

3.02

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

2.62

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,v- Cc= 900V, 

vCEM≤ 1200V

3200

a)

Qg

Importo della porta

v- Cc= 600V,Ic= 800A, vGE=-15 - Non lo so.+15V

7.4

μC

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.78

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

15

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.10

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=800A

tj= 25°C

1.65

2.10

v

tj= 125°C

1.65

Qr

Ricostruito

carico

If= 800A,

vr= 600V,

rg=3.6Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

48.6

μC

tj= 125°C

91.2

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

340

a)

tj= 125°C

440

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

21.8

mj

tj= 125°C

41.3

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

33.8

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

57.4

K/kW

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

6

K/kW

peso

peso- Non lo so.modulo

1500

g