homepage / Prodotti / modulo igbt / 1200 V
Modulo IGBT,1200V 800A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 30 |
v |
Ic |
Corrente del collettore @ Tc= 25oc @ Tc= 100oc |
1250 800 |
a) |
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo |
1600 |
a) |
pd |
Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc |
4166 |
- Sì |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
vRRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
v |
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
800 |
a) |
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
1600 |
a) |
modulo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
oc |
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
oc |
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +125 |
oc |
viso |
tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min |
2500 |
v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic= 800 A, VGE= 15 V,tj= 25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Ic= 800 A, VGE= 15 V,tj= 125oc |
|
1.95 |
|
|||
Ic= 800 A, VGE= 15 V,tj= 150oc |
|
2.00 |
|
|||
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic=32.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc |
5.0 |
5.7 |
6.5 |
v |
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
|
400 |
- No |
rGint |
Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
|
0.13 |
|
Oh |
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 30V, f=1MHz, vGE=0V |
|
79.2 |
|
NF |
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
2.40 |
|
NF |
|
Qg |
Importo della porta |
vGE= 15 V |
|
4.80 |
|
μC |
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1.0Ω, vGE=± 15V,tj= 25oc |
|
408 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
119 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
573 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
135 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
21.0 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
72.4 |
|
mj |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1.0Ω, vGE=± 15V, tj= 125oc |
|
409 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
120 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
632 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
188 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
26.4 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
107 |
|
mj |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1.0Ω, vGE=± 15V, tj= 150oc |
|
410 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
123 |
|
NS |
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
638 |
|
NS |
|
tf |
Tempo di caduta |
|
198 |
|
NS |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
28.8 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
112 |
|
mj |
|
Isc |
Dati SC |
tp≤ 10 μs,VGE= 15 V, tj= 150oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V |
|
3200 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 800 A, VGE=0V,Tj= 25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
If= 800 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.85 |
|
|||
If= 800 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.85 |
|
|||
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, - di/dt=6700A/μs, vGE- Sì. 15 Vtj= 25oc |
|
81.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
518 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
39.4 |
|
mj |
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, - di/dt=6700A/μs, vGE- Sì. 15 V tj= 125oc |
|
136 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
646 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
65.2 |
|
mj |
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, - di/dt=6700A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc |
|
155 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
684 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
76.6 |
|
mj |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
- Non lo so. |
rCC+EE |
Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
rilJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
|
0.036 0.048 |
C/W |
rthCH |
Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (permodulo) |
|
0.123 0.163 0.035 |
|
C/W |
m |
Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine |
1.1 2.5 3.0 |
|
2.0 5.0 5.0 |
n.m. |
g |
peso di modulo |
|
300 |
|
g |
Il nostro team di venditori professionisti aspetta la vostra consultazione.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.