di potenza superiore a 600 V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 80oc

1050

800

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1600

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

4.85

kW

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

800

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1600

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25oc

2.50

2.95

v

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125oc

3.00

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 150oc

3.10

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=32.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

5.4

7.4

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

54.0

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.84

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

6.2

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V,tj= 25oc

235

NS

tr

Tempo di risalita

110

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

390

NS

tf

Tempo di caduta

145

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

216

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

152

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

250

NS

tr

Tempo di risalita

120

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

475

NS

tf

Tempo di caduta

155

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

280

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

232

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.

rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

254

NS

tr

Tempo di risalita

125

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

500

NS

tf

Tempo di caduta

160

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

312

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

256

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

2480

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 800 A, VGE=0V, tj= 25oc

1.80

2.25

v

If= 800 A, VGE=0V, tj= 125oc

1.95

If= 800 A, VGE=0V, tj= 150oc

1.90

Qr

Importo recuperato

v- Cc=900V,If= 800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 25oc

232

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

720

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

134

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc=900V,If= 800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 125oc

360

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

840

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

222

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc=900V,If= 800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 150oc

424

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

880

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

259

mj

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

0.37

mΩ

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Connessione con il caso (per D)iodio)

30.9

49.0

K/kW

rθcss

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

19.6

31.0

K/kW

rθcss

Cassa-sink

6.0

K/kW

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m.

g

peso di modulo

1500

g