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Modulo IGBT，1200V 800A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
|
Il simbolo |
Descrizione |
valori |
unità |
|
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
|
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
|
Ic |
Corrente del collettore @ Tc= 100oc |
800 |
a) |
|
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
1600 |
a) |
|
pd |
Dissipation di potenza massima @ TVj= 175oc |
4687 |
- Sì |
Diodo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valori |
unità |
|
vRRM |
Volt inverso di picco ripetitivoetà |
1200 |
v |
|
If |
Diode Corrente continua in avanti CuRenta |
900 |
a) |
|
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
1800 |
a) |
|
IFSM |
Corrente di avanzamento di pressione tp= 10 ms @ TVj= 125oc @ TVj= 175oc |
2392 2448 |
a) |
|
I2t |
I2t-valore- Sì.tp= 10ms@tVj= 125oc@ TVj= 175oc |
28608 29964 |
a)2s |
modulo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
|
tvjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
oc |
|
tvjop |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
oc |
|
tSTG |
intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
oc |
|
viso |
tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 25oc |
|
1.40 |
1.85 |
v |
|
Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 175oc |
|
1.60 |
|
|||
|
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tVj= 25oc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
|
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tVj= 25oc |
|
|
1.0 |
- Mamma! |
|
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tVj= 25oc |
|
|
400 |
- No |
|
rGint |
Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
|
0.5 |
|
Oh |
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V |
|
28.4 |
|
NF |
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
0.15 |
|
NF |
|
|
Qg |
Importo della porta |
vGE=-15...+15V |
|
2.05 |
|
μC |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 25oc |
|
168 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
78 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
428 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
123 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
43.4 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
77.0 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 125oc |
|
172 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
84 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
502 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
206 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
86.3 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
99.1 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 175oc |
|
174 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
90 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
531 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
257 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
99.8 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
105 |
|
mj |
|
|
Isc |
Dati SC |
tp≤8μs,vGE= 15V, tVj= 150oC, v- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
2600 |
|
a) |
|
tp≤6μs,vGE= 15V, tVj= 175oC, v- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
2500 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 900 A, VGE=0V,TVj=25oc |
|
1.60 |
2.00 |
v |
|
If= 900 A, VGE=0V,TVj= 125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
If= 900 A, VGE=0V,TVj= 175oc |
|
1.50 |
|
|||
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=7778A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 25oc |
|
47.7 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
400 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
13.6 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=7017A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 125oc |
|
82.7 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
401 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
26.5 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=6380A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 175oc |
|
110 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
413 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
34.8 |
|
mj |
NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
r25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
∆R/R |
Deviazione di r100 |
tc= 100 oc,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
potenza dissolvimento |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
20 |
|
- Non lo so. |
|
rCC+EE |
Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
|
rilJC |
Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(perIGBT) Giunzione-a-Cassa (per Diodo) |
|
|
0.032 0.049 |
C/W |
|
rthCH |
Cassa-sink (perIGBT) Caso-a-Radiatore (per Diode) Case-to-Heatsink (permodulo) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
C/W |
|
m |
Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m. |
|
g |
peso di modulo |
|
350 |
|
g |
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