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1200 V

1200 V

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GD600SGY120C2S

Modulo IGBT,1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600SGY120C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Bassa V- -(seduto) Trincea Igbt tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuitoIlità
  • v- -(seduto) con positivo temperatura coefficiente
  • massimo temperatura di giunzione 175oc
  • Induttanza bassa caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata using tecnologia HPS DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori dRiva
  • ac e dc Servo guida amplificatore
  • Alimentazione ininterrotta fornitura

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

1000

600

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1200

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

3409

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

600

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1200

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

1.95

 

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.00

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 15.0mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

0.7

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

62.1

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.74

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

4.66

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,- Non lo so.rg=1.5Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

 

257

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

96

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

628

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

103

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

37.5

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

51.5

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,- Non lo so.rg=1.5Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

268

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

107

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

659

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

144

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

53.5

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

77.3

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,- Non lo so.rg=1.5Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

 

278

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

118

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

680

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

155

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

58.9

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

82.4

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM≤ 1200V

 

 

2400

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=600A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.65

2.10

 

v

If=600A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.65

 

If=600A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.65

 

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 V,tj= 25oc

 

61.4

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

280

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

20.9

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 V, tj= 125oc

 

114

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

415

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

43.1

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 V, tj= 150oc

 

128

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

443

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

50.0

 

mj

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminale a Chip

 

0.18

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.044

0.078

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

 

0.016

0.028

0.010

 

C/W

 

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

1.1

2.5

3.0

 

2.0

5.0

5.0

 

n.m.

g

peso di modulo

 

300

 

g

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