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1200 V

1200 V

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GD600HTA120P6HT

Modulo IGBT,1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Basso VCE(sat)Tecnologia IGBT a trincea
  • Basse perdite di cambio
  • Capacità di cortocircuito di 6 μs
  • VCE (sat)conpositivotemperaturacoefficiente
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • isolatodi ramepinfinPiastra di baseutilizzandoSi3N4AMBtecnologia

tipica Applicazioni

  • applicazioni automobilistiche
  • Veicolo ibrido ed elettrico
  • Invertitori per motori

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

ICN

Collettore Cu implementatoRenta

600

a)

Ic

Corrente del collettore @ Tf= 85oc

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1200

a)

pd

Massima dissipazione di potenza- di @tf=75oc tj= 175oc

970

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vRRM

Pico ripetitivo volta inversaGE

1200

v

IFn

Collettore Cu implementatoRenta

600

a)

If

Diode Corrente continua in avanti CuRenta

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1200

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s entro un periodo30 anni, casomassimo 3000 volte nel corso della vita- Io.

-40 a +150- Non lo so.

+150 a +175

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

d- Scavoloso.

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

d- Chiara.

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

 

Igbt

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

ICN

Collettore Cu implementatoRenta

600

a)

Ic

Corrente del collettore @ Tf= 85oc

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1200

a)

pd

Massima dissipazione di potenza- di @tf=75oc tj= 175oc

970

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vRRM

Pico ripetitivo volta inversaGE

1200

v

IFn

Collettore Cu implementatoRenta

600

a)

If

Diode Corrente continua in avanti CuRenta

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1200

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s entro un periodo30 anni, casomassimo 3000 volte nel corso della vita- Io.

-40 a +150- Non lo so.

+150 a +175

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

d- Scavoloso.

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

d- Chiara.

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

 

Igbt caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

 

 

 

vCE (sat)

 

 

 

 

 

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.40

 

 

 

 

 

 

v

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

1.65

 

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 175oc

 

1.70

 

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.60

 

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

1.90

 

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 175oc

 

2.00

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 15,6- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

 

6.4

 

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza interna della porta

 

 

1.67

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

 

v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V

 

81.2

 

NF

c- Non

Capacità di uscita

 

1.56

 

NF

cres

Trasferimento inverso Capacità

 

0.53

 

NF

Qg

Importo della porta

v- - = 600V,Ic = 600A, VGE=-8... +15V

 

5.34

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω, - Io...s= 22nH,

vGE=-8V/+15V, tj= 25oc

 

290

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

81

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

895

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

87

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

53.5

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

47.5

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω, - Io...s= 22nH,

vGE=-8V/+15V, tj= 150oc

 

322

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

103

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

1017

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

171

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

84.2

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

63.7

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc= 600V,Ic=600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω, - Io...s= 22nH,

vGE=-8V/+15V, tj= 175oc

 

334

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

104

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

1048

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

187

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

89.8

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

65.4

 

mj

Isc

Dati SC

tp≤6μs,vGE= 15V,

tj= 175oC,V- Cc= 800V, vCEM≤ 1200V

 

2000

 

a)

Diodo caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vf

 

 

Diodo di avanzamento tensione

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

 

 

 

v

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.75

 

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 175oc

 

1.70

 

If=600A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.95

 

If=600A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

If=600A,VGE=0V,Tj= 175oc

 

1.90

 

Qr

Importo recuperato

 

vr= 600V,If=600A,

- di/dt=7040A/μs,VGE=-8V - Io...s= 22- Non lo so.- Sì.tj= 25oc

 

22.5

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

304

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

10.8

 

mj

Qr

Importo recuperato

 

vr= 600V,If=600A,

- di/dt=5790A/μs,VGE=-8V - Io...s= 22- Non lo so.- Sì.tj= 150oc

 

46.6

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

336

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

18.2

 

mj

Qr

Importo recuperato

 

vr= 600V,If=600A,

- di/dt=5520A/μs,VGE=-8V - Io...s= 22- Non lo so.- Sì.tj= 175oc

 

49.8

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

346

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

19.8

 

mj

 

 

NTC caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

 

 

5.0

 

∆R/R

Deviazione di r100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

potenza

dissolvimento

 

 

 

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3375

 

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3411

 

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3433

 

k

 

modulo caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

8

 

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

 

0.75

 

p

V/t=10.0dm3- Sì.Min- Sì.tf=75oc

 

64

 

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamentocuo

 

 

2.5

bar

 

rthJF

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.raffreddamento Fluid(perIGBT)Fluido di giunzione-raffreddamento (per D)iodio) V/t=10.0dm3- Sì.Min- Sì.tf=75oc

 

 

0.103 0.140

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

 

4.4 2.2

n.m.

g

peso di modulo

 

750

 

g

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