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di potenza superiore a 600 V

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GD600HFX170C6S

Modulo IGBT,1700V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFX170C6S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente@ tc= 25oc

@tc= 100oc

1069

600

a)

Icm

pulsato Collettore corrente- Non lo so.tp= 1ms

1200

a)

pd

massimo potenza dissolvimento@tj= 175oc

4166

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di corrente continua in avanti

600

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1200

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Massima Temperatura di Giunzione- Non lo so.

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40a +150

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40a +125

oc

viso

Isolamento tensione- Non lo so.RMS,f=50hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

v- -(seduto)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=600A,vGE= 15V, tj= 25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Ic=600A,vGE= 15V, tj= 125oc

 

2.25

 

Ic=600A,vGE= 15V, tj= 150oc

 

2.35

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 12.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì.tj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,

tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza interna della porta

 

 

1.1

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -=25V,f=1mhz- Sì.

vGE=0V

 

72.3

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.75

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

5.66

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 900V,Ic=600A,- Non lo so.rg= 1.0Ω,vGE=± 15V,tj= 25oc

 

160

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

67

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

527

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

138

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

154

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

132

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 900V,Ic=600A,- Non lo so.rg= 1.0Ω,vGE=± 15V,tj= 125oc

 

168

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

80

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

585

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

168

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

236

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

189

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 900V,Ic=600A,- Non lo so.rg= 1.0Ω,vGE=± 15V,tj= 150oc

 

192

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

80

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

624

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

198

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

259

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

195

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤10μs,vGE= 15V,

tj= 150oc- Sì.v- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

 

 

2400

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=600A,vGE=0V,tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If=600A,vGE=0V,tj= 125oc

 

1.90

 

If=600A,vGE=0V,tj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Importo recuperato

vr= 900V,If=600A,

- Non lo so.di- Sì.dt=6700A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

 

153

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

592

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

76.5

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 900V,If=600A,

- Non lo so.di- Sì.dt=6700A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 125oc

 

275

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

673

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

150

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 900V,If=600A,

- Non lo so.di- Sì.dt=6700A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 150oc

 

299

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

690

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

173

 

mj

NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

 

 

5.0

 

ΔR/R

Deviazione di r100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

potenza

dissolvimento

 

 

 

20.0

m

b25/50

- B-valore

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3375

 

k

b25/80

- B-valore

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3411

 

k

b25/100

- B-valore

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3433

 

k

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

20

 

- Non lo so.

r- Cc+EE'

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminaleal Chip

 

1.10

 

rilJC

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(per Igbt)

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(per Diodo)

 

 

0.036

0.073

C/W

 

rthCH

caso- Non lo so.a- Non lo so.Dissipatore di Calore(per Igbt)

caso- Non lo so.a- Non lo so.Dissipatore di Calore(per Diodo)

Cassa-sink (per modulo)

 

0.027

0.055

0.009

 

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, pernom6 Montaggio coppia- Sì. perno m5

3.0

3.0

 

6.0

6.0

n.m.

g

Peso di modulo

 

350

 

g

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