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1200 V

1200 V

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GD600HFX120C2SA

Modulo IGBT,1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Bassa V- -(seduto) Trincea Igbt tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuitoIlità
  • v- -(seduto) con positivo temperatura coefficiente
  • massimo temperatura di giunzione 175oc
  • Induttanza bassa caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata using tecnologia HPS DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori dRiva
  • ac e dc Servo guida amplificatore
  • Alimentazione ininterrotta fornitura

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

925

600

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

1200

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

3000

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

600

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

1200

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.65

2.00

 

 

v

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

1.95

 

Ic=600A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.00

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

0.5

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V

 

60.8

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.84

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

4.64

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A, rg=1.2Ω,Ls=20nH,  VGE= ± 15V,Tj= 25oc

 

308

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

42

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

431

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

268

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

15.7

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

51.3

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A, rg=1.2Ω,- Io...s=20- Non lo so.- Sì.- Non lo so.

vGE= ± 15V,Tj= 125oc

 

311

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

49

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

467

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

351

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

31.1

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

69.4

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic=600A, rg=1.2Ω,- Io...s=20- Non lo so.- Sì.- Non lo so.

 vGE= ± 15V,Tj= 150oc

 

313

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

51

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

475

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

365

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

34.8

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

71.1

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM≤ 1200V

 

 

2400

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=600A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.85

2.30

 

v

If=600A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

If=600A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=13040A/μs,VGE- Sì. 15 V,tj= 25oc

 

38.1

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

524

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

34.9

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=11220A/μs,Vge- Sì. 15 V, tj= 125oc

 

82.8

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

565

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

54.4

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If=600A,

-di/dt=11040A/μs,Vge- Sì. 15 V, tj= 150oc

 

94.7

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

589

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

55.8

 

mj

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminale a Chip

 

0.35

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.050

0.080

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

 

0.033

0.052

0.010

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

 

300

 

g

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