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Modulo IGBT, 1200V 450A
caratteristiche
tipica Applicazioni
IGBT-invertertc= 25°C se non diversamente indicato
Valori massimi nominali
|
Il simbolo |
Descrizione |
GD450HTT120C7S |
unità |
|
vCES |
Tensione del collettore-emettitore@ Tj= 25°C |
1200 |
v |
|
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
v |
|
Ic |
Corrente del collettore @ Tc= 25°C @ Tc= 80°C |
650 450 |
a) |
|
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
900 |
a) |
|
p- Non |
Dissipation totale di potenza @ Tj= 175°C |
2155 |
- Sì |
|
tsc |
Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 150°C |
10 |
μs |
Non caratteristiche
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
v(BR) CES |
Collettore-emittente tensione di rottura |
tj= 25°C |
1200 |
|
|
v |
|
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente |
v- -=VCESVGE=0V, tj= 25°C |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
|
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=VGESV- -=0V, tj= 25°C |
|
|
400 |
- No |
Sulle caratteristiche
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vGE (th) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 18,0 mA,V- -=VGE- Sì. tj= 25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
|
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 125°C |
|
1.90 |
|
Cambiare caratteredi estetica
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
v- Cc= 600V,Ic= 450A, Rg= 1,6Ω,VGE=±15 V, tj= 25°C |
|
23.0 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
31.0 |
|
mj |
|
|
e- Non |
totale Perdite di cambio |
|
54.0 |
|
mj |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
v- Cc= 600V,Ic= 450A, Rg= 1,6Ω,VGE=±15 V, tj= 125°C |
|
36.0 |
|
mj |
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
48.0 |
|
mj |
|
|
e- Non |
totale Perdite di cambio |
|
84.0 |
|
mj |
|
tD (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 450A,rg= 1,6Ω, vGE=±15 V, tj= 25°C |
|
160 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
90 |
|
NS |
|
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
500 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
130 |
|
NS |
|
|
tD (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 450A,rg= 1,6Ω, vGE=±15 V, tj= 125°C |
|
170 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
100 |
|
NS |
|
|
td(spento) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
570 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
160 |
|
NS |
|
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
|
32.3 |
|
NF |
|
c- Non |
Capacità di uscita |
|
1.69 |
|
NF |
|
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.46 |
|
NF |
|
|
Isc |
Dati SC |
tsc≤10 μs,VGE ≤15 V, tj= 125°C- Sì. v- Cc= 900V, vCEM ≤1200 V |
|
1800 |
|
a) |
|
rGint |
Resistenza interna della porta |
|
|
1.7 |
|
Oh |
|
Qg |
Importo della porta |
vGE=-15...+15V |
|
4.3 |
|
μC |
DIOD-invertertc= 25°C a meno che non sia stato- Sapienza nota
Valori massimi nominali
|
Il simbolo |
Descrizione |
GD450HTT120C7S |
unità |
|
vRRM |
Tensione del collettore-emettitore@ Tj= 25°C |
1200 |
v |
|
If |
Corrente continua in avanti @ tc= 80°C |
450 |
a) |
|
IMF |
Corrente di punta in avanti ripetuta tp=1 millisecondo |
900 |
a) |
|
I2t |
I2Valore t,Vr=0V, tp= 10 ms, Tj=125°C |
35000 |
a)2s |
Caratteristiche Valori
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 450 A,VGE=0V |
tj= 25°C |
|
1.65 |
2.15 |
v |
|
tj= 125°C |
|
1.65 |
|
||||
|
Qr |
Importo recuperato |
If= 450A, vr= 600V, di/dt=-5200A/μs, vGE= 15V |
tj= 25°C |
|
45.1 |
|
NS |
|
tj= 125°C |
|
84.6 |
|
||||
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
tj= 25°C |
|
316 |
|
a) |
|
|
tj= 125°C |
|
404 |
|
||||
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
tj= 25°C |
|
21.1 |
|
mj |
|
|
tj= 125°C |
|
38.9 |
|
||||
elettrico caratteristiche di NTC tc= 25°C a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
r25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
ΔR/R |
Deviazione di r100 |
tc= 100°C,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
dissipazione di potenza |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
Valore B |
r2=R25esp[B25/50(1/T2-1/(298.1 5K))] |
|
3375 |
|
k |
modulo igbt
|
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
viso |
Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
|
2500 |
|
v |
|
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
20 |
|
- Non lo so. |
|
r- Cc+EE' |
Modulo di resistenza al piomboC.E., terminale a Chip. @ Tc= 25°C |
|
1.1 |
|
mOh |
|
rθJC |
Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(perIGBT) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
|
0.058 0.102 |
C/W |
|
rθCS |
La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a(in particolare) |
|
0.005 |
|
C/W |
|
tj |
Temperatura massima di giunzione |
|
|
150 |
°C |
|
tSTG |
intervallo di temperatura di conservazione |
-40 |
|
125 |
°C |
|
montamento coppia |
Terminale di alimentazione Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4. |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
|
montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
|
|
peso |
Peso di modulo |
|
910 |
|
g |
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