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1200 V

1200 V

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GD450HFX120C6SA

Modulo IGBT, 1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Bassa V- -(seduto) Trincea Igbt tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuitoIlità
  • v- -(seduto) con positivo temperatura coefficiente
  • massimo temperatura di giunzione 175oc
  • Induttanza bassa caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Ibridi ed elettrici Veveicolo
  • Invertitori per motori dRiva
  • Potenza ininterrottar fornitura

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

680

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

900

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

2173

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

900

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

1.95

 

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.00

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 11.3mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25oc

5.2

5.8

6.4

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

0.7

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

46.6

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.31

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

3.50

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1.3Ω,

vGE=± 15V,tj= 25oc

 

203

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

64

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

491

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

79

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

16.1

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

38.0

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1.3Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

235

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

75

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

581

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

109

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

27.8

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

55.5

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1.3Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

 

235

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

75

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

621

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

119

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

30.5

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

61.5

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM≤ 1200V

 

 

1800

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.85

2.30

 

v

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

-di/dt=6600A/μs,VGE- Sì. 15 V,tj= 25oc

 

55.2

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

518

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

26.0

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

-di/dt=6600A/μs,VGE- Sì. 15 V, tj= 125oc

 

106

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

633

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

47.5

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

-di/dt=6600A/μs,VGE- Sì. 15 V, tj= 150oc

 

121

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

661

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

53.9

 

mj

 

NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

 

 

5.0

 

ΔR/R

Deviazione di r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

potenza

dissolvimento

 

 

 

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3375

 

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3411

 

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3433

 

k

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

20

 

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

 

1.10

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.069

0.108

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Caso-a-Radiatore (per Diode)

Caso-a-Radiatore (per Modulo)

 

0.030

0.046

0.009

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

 

6.0

6.0

n.m.

g

peso di modulo

 

350

 

g

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