1200 V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 30

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc@ Tc= 95oc

685

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

900

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

2206

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

900

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

Tensione di isolamento  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25oc

1.70

2.15

v

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 125oc

1.95

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 150oc

2.00

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 18,0 mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25oc

5.0

5.6

6.5

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.7

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V

39.0

NF

cres

Trasferimento inverso Capacità

1.26

NF

Qg

Importo della porta

vGE=15V

2.46

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V,tj= 25oc

360

NS

tr

Tempo di risalita

140

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

550

NS

tf

Tempo di caduta

146

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

11.5

mj

espento

Sconto di accensione perdita

48.0

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

374

NS

tr

Tempo di risalita

147

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

623

NS

tf

Tempo di caduta

178

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

17.9

mj

espento

Sconto di accensione perdita

64.5

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 1,5Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

381

NS

tr

Tempo di risalita

152

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

636

NS

tf

Tempo di caduta

184

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

19.6

mj

espento

Sconto di accensione perdita

69.0

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1800

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamentotensione

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc

1.72

2.12

v

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.73

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.74

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

- di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V,tj= 25oc

40.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

258

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

19.0

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

- di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V, tj= 125oc

71.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

338

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

39.1

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 450A,

- di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V, tj= 150oc

79.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

352

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

41.8

mj

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

0.35

mΩ

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)Connessione con il caso (per D)iodio)

0.068 0.117

C/W

rθcss

Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo)

0.111 0.190

C/W

rθcss

Cassa-sink

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5 3.0

5.0 5.0

n.m.

g

peso- Non lo so.modulo

300

g