Modulo IGBT,1700V 450A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
VCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1700 |
v |
VGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
- - |
Corrente del collettore @ TC=25oC @ TC=95oC |
683 450 |
a) |
MIC |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
900 |
a) |
PD |
Massima dissipazione di potenza T =175oC |
2678 |
- Sì |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
vRRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1700 |
v |
If |
Diodo di continua curvatura anterioreaffitto |
450 |
a) |
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
900 |
a) |
modulo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
oc |
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
oc |
tSTG |
temperatura di conservazionegamma |
-40 a +125 |
oc |
viso |
tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
VCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
|
2.00 |
2.45 |
v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
|
2.40 |
|
|||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.50 |
|
|||
VGE (th) |
Tensione di soglia del portale-emittente |
IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.4 |
6.1 |
7.4 |
v |
ICES |
Interruzione del Collettore corrente |
VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC |
|
|
5.0 |
- Mamma! |
IGES |
Corrente di perdita del portatore-emettitore |
VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC |
|
|
400 |
- No |
RGint |
Resistenza interna della porta |
|
|
0.3 |
|
Oh |
- Cies |
Capacità di ingresso |
VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V |
|
30.0 |
|
NF |
Cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.08 |
|
NF |
|
CdG |
Importo della porta |
VGE=-15...+15V |
|
2.70 |
|
μC |
Td (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
|
504 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
183 |
|
NS |
|
Td (off) |
Tempo di ritardo di spegnimento |
|
616 |
|
NS |
|
Tf |
Tempo di caduta |
|
188 |
|
NS |
|
EON |
Accendere il comando perdita |
|
126 |
|
mj |
|
EOFF |
Sconto di accensione perdita |
|
89 |
|
mj |
|
Td (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
|
506 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
194 |
|
NS |
|
Td (off) |
Tempo di ritardo di spegnimento |
|
704 |
|
NS |
|
Tf |
Tempo di caduta |
|
352 |
|
NS |
|
EON |
Accendere il comando perdita |
|
162 |
|
mj |
|
EOFF |
Sconto di accensione perdita |
|
124 |
|
mj |
|
Td (in) |
Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
|
510 |
|
NS |
tr |
Tempo di risalita |
|
198 |
|
NS |
|
Td (off) |
Tempo di ritardo di spegnimento |
|
727 |
|
NS |
|
Tf |
Tempo di caduta |
|
429 |
|
NS |
|
EON |
Accendere il comando perdita |
|
174 |
|
mj |
|
EOFF |
Sconto di accensione perdita |
|
132 |
|
mj |
|
sc sc |
Dati SC |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc |
|
1.87 |
2.32 |
v |
If= 450 A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
2.00 |
|
|||
If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.05 |
|
|||
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 25oc |
|
107 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
519 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
75 |
|
mj |
|
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 125oc |
|
159 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
597 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
113 |
|
mj |
|
Qr |
Importo recuperato |
vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 150oc |
|
170 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
611 |
|
a) |
|
eRicerca |
Ritorno al recuperoenergia |
|
119 |
|
mj |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
- Non lo so. |
rCC+EE |
Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
rilJC |
Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
|
0.056 0.112 |
C/W |
rthCH |
Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (permodulo) |
|
0.105 0.210 0.035 |
|
C/W |
m |
Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
g |
peso di modulo |
|
300 |
|
g |
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