1200 V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

VGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

- -

Corrente del collettore @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a)

MIC

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

PD

Massima dissipazione di potenza  @ T =150oC

2659

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

Se

Diodo di corrente continua in avanti

400

a)

se m

Diodo corrente massima in avanti tp=1 ms

800

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

Tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

oC

- Non lo so.

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

oC

TSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oC

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25oc

2.90

3.35

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125oc

3.60

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 16,0 mA,V- -=VGE, tj= 25oc

4.5

5.5

6.5

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.6

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

26.0

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.70

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

4.2

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

76

NS

tr

Tempo di risalita

57

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

529

NS

tf

Tempo di caduta

73

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

5.2

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

23.2

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

81

NS

tr

Tempo di risalita

62

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

567

NS

tf

Tempo di caduta

81

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

9.9

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

31.7

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 125oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

2800

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 25oc

1.96

2.31

v

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.98

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- di/dt=6000A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

24.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

317

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

16.0

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- di/dt=6000A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc

35.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

391

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

21.4

mj

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminale a Chip

0.18

mΩ

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

0.047

0.100

C/W

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Caso-a-Radiatore (per Diode)

Caso-a-Radiatore (per Modulo)

0.015

0.031

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

300

g