1200 V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGT120C2S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 80°C

680

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

800

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

@ Tc= 80°C

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

2419

- Sì

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

montamento coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Filtro di alimentazione:M6

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

n.m.

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

3,0 a 5.0

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 16,0 mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.70

2.05

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.00

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 1,8Ω,

vGE=± 15V,tj= 25°C

251

NS

tr

Tempo di risalita

89

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

555

NS

tf

Tempo di caduta

128

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

23.0

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

39.5

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 1,8Ω,

vGE=± 15V,tj= 125°C

302

NS

tr

Tempo di risalita

101

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

650

NS

tf

Tempo di caduta

179

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

33.1

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

58.9

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

28.8

NF

c- Non

Capacità di uscita

1.51

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.31

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1600

a)

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

1.9

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.18

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A

tj= 25°C

1.65

2.10

v

tj= 125°C

1.65

Qr

Ricostruito

carico

If= 400A,

vr= 600V,

rg= 1,8Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

39.8

μC

tj= 125°C

75.1

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

275

a)

tj= 125°C

362

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

18.0

mj

tj= 125°C

34.1

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

0.067

C/W

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

0.124

C/W

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

0.035

C/W

peso

peso- Non lo so.modulo

300

g