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1200 V

1200 V

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GD400SGK120C2S

Modulo IGBT, 1200V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGK120C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • VCE basso (sat) non perforante attraverso la tecnologia IGBT
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Non con serratura
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • - Sotto
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
  • Saldatrici elettroniche a fSW fino a 25 kHz

Valori di rating massimi assolutitc= 25°C se non altrimenti- Ted.

 

Il simbolo

Descrizione

GD400SGK120C2S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

Il simbolo

Descrizione

GD400SGK120C2S

unità

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20 V

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25°C

@ Tc= 80°C

550

a)

400

ICM(1)

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

If

Corrente di diodo continua in avantin

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima in avantin

800

a)

pd

Potenza massima Dissipazione @tj= 150°C

2500

- Sì

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Temperatura di funzionamento della giunzione

- Da 40 a +150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

°C

I2Valore t, diodo

vr=0V, t=10ms, Tj= 125°C

27500

a)2s

viso

Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

montamento

coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3,0 a 6.0

n.m.

Caratteristiche elettriche di Igbttc= 25°C se non diversamente indicato

Non caratteristiche

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

bvCES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

 

 

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=VCESVGE=0V, tj= 25°C

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=VGESV- -=0V, tj= 25°C

 

 

400

- No

Sulle caratteristiche

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE (th)

Emittente di porta

Voltaggio di soglia

Ic= 5,0 mA,V- -=VGE- Sì.

tj= 25°C

4.5

5.1

5.5

v

 

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V,Tj= 25°C

 

2.2

 

 

v

Ic= 400 A,VGE= 15V,

tj= 125°C

 

2.5

 

Cambiare caratteredi estetica

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,

 

258

 

NS

tr

Tempo di risalita

rg= 3,3Ω, VGE =±15 V,

 

110

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

tj= 25°C

 

285

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,

rg= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 25°C

 

70

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

45

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

26

 

mj

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,

rg= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 125°C

 

260

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

120

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

300

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

80

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

60

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

40

 

mj

c- Non

Capacità di ingresso

 

v- - = 25V, f=1,0MHz,

vGE =0V

 

74.7

 

NF

c- Non

Capacità di uscita

 

3.3

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

0.64

 

NF

 

Isc

 

Dati SC

tsc10 μs, VGE= 15V,

tj= 125°C, V- Cc= 900V,

vCEM 1200 V

 

 

2400

 

 

a)

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

16

 

- Non lo so.

 

r- Cc+EE'

Modulo piombo

Resistenza, terminale a chip

 

tc= 25°C

 

 

0.50

 

 

mOh

elettrico caratteristiche di Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A

tj= 25°C

 

2.0

2.3

v

tj= 125°C

 

2.2

2.5

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

 

 

If= 400A,

vr= 600V,

di/dt=-4100A/μs, vGE= 15V

tj= 25°C

 

31

 

μC

tj= 125°C

 

66

 

 

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

 

300

 

 

a)

tj= 125°C

 

410

 

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

 

12

 

mj

tj= 125°C

 

28

 

Caratteristiche termiche

 

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità 1/2 modulo)

 

0.05

C/W

rθJC

Connessione con cassa (diodo, per 1/2 modulo)

 

0.08

C/W

rθCS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a(in particolare)

0.035

 

C/W

peso

Peso di modulo

340

 

g

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