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di potenza superiore a 600 V

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GD400HFX170C2S

Modulo IGBT, 1700V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400HFX170C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Basso VCE(sat)TrinceaIgbttecnologia
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat)conpositivotemperaturacoefficiente
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

648

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipazione di Potenza Massima- Non lo so.t = 175oc

2380

- Sì

 

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

2.25

 

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.35

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 16,0 mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

1.88

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

48.2

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.17

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15V... +15V

 

3.77

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic= 400A,- Non lo so.rg=0.82Ω,VGE=± 15V, tj= 25oc

 

204

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

38

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

425

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

113

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

97.9

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

84.0

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic= 400A,- Non lo so.rg=0.82Ω,VGE=± 15V, tj= 125oc

 

208

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

50

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

528

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

184

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

141

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

132

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic= 400A,- Non lo so.rg=0.82Ω,VGE=± 15V, tj= 150oc

 

216

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

50

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

544

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

204

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

161

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

137

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 100V,laCEM≤1700V

 

 

1600

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

 

116

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

666

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

63.8

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 125oc

 

187

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

662

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

114

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 150oc

 

209

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

640

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

132

 

mj

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminale a Chip

 

0.35

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.063

0.105

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

 

0.032

0.053

0.010

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

 

300

 

g

 

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