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1200 V

1200 V

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GD400HFQ120C2SD

Modulo IGBT, 1200V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
  • Calore induttivo
  • Saldatrici elettroniche

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

769

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tvj  = 175oc

2272

- Sì

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vRRM

Volt inverso di picco ripetitivoetà

1200

v

If

Diode Corrente continua in avanti CuRenta

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

 

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tvjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

tvjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oc

viso

Tensione di isolamento  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

 

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tVj= 25oc

 

1.85

2.30

 

 

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tVj= 125oc

 

2.25

 

Ic= 400 A,VGE= 15V, tVj= 150oc

 

2.35

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=16.00- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì.tVj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tVj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tVj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza interna della porta

 

 

0.5

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V

 

43.2

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.18

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

3.36

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A, rg=2Ω,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.

vGE=± 15V,tVj= 25oc

 

288

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

72

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

314

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

55

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

43.6

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

12.4

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A, rg=2Ω,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.

vGE=± 15V,tVj= 125oc

 

291

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

76

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

351

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

88

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

57.6

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

17.1

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A, rg=2Ω,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.

vGE=± 15V,tVj= 150oc

 

293

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

78

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

365

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

92

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

62.8

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

18.6

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤10μs,vGE= 15V,

tVj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM≤ 1200V

 

 

1500

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,TVj=25oc

 

1.85

2.30

 

v

If= 400 A,VGE=0V,TVj= 125oc

 

1.90

 

If= 400 A,VGE=0V,TVj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Ricostruito

carico

 

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=4130A/μs,VGE- Sì. 15 V,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.tVj= 25oc

 

38.8

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

252

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

11.2

 

mj

Qr

Ricostruito

carico

 

vr= 600V,If= 400A,

- Non lo so.di- Sì.dt=3860A/μs,vGE- Sì. 15 V,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.tVj= 125oc

 

61.9

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

255

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

18.7

 

mj

Qr

Ricostruito

carico

 

vr= 600V,If= 400A,

- Non lo so.di- Sì.dt=3720A/μs,vGE- Sì. 15 V,- Io...s=45- Non lo so.- Sì.tVj= 150oc

 

75.9

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

257

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

20.5

 

mj

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

 

0.35

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.066

0.115

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Caso-a-Radiatore (per Diode)

Caso-a-Radiatore (per Modulo)

 

0.031

0.055

0.010

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

 

300

 

g

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