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di potenza superiore a 600 V

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GD400CUT170C2S

Modulo IGBT, 1700 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Basso VCE(sat)TrinceaIgbttecnologia
  • Basse perdite di cambio
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

applicazioni tipiche

  • Motori a inverter alternativi
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione

 

Igbt tc= 25°C a meno che altrimenti nota

Valori massimi nominali

 

Il simbolo

Descrizione

GD400CUT170C2S

unità

vCES

Voltaggio del collettore-emettitore @ Tj= 25°C

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc=25°C

@ Tc= 80°C

650

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

p- Non

Dissipation totale di potenza@ Tj= 150°C

2403

- Sì

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 150°C

10

μs

Non caratteristiche

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1700

 

 

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25°C

 

 

3.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

 

 

400

- No

Sulle caratteristiche

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic= 16mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25°C

5.2

5.8

6.4

v

 

 

vCE (sat)

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25°C

 

2.00

2.45

 

 

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125°C

 

2.40

 

Caratteristiche di cambio

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 V,tj= 25°C

 

278

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

81

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

802

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

119

 

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

 

104

 

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

 

86

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 V, tj= 125°C

 

302

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

99

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

1002

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

198

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

v- Cc=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 V, tj= 125°C

 

136

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

124

 

mj

c- Non

Capacità di ingresso

 

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

36

 

pf

c- Non

Capacità di uscita

 

1.5

 

pf

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.2

 

pf

rGint

Resis interna della porta- Sotto il mio nome.

 

 

1.9

 

Oh

 

Isc

 

Dati SC

tp 10 μs,VGE= 15V,- Non lo so.tj= 125°CV- Cc= 1000V,laCEMdi potenza superiore a 600 V

 

 

1600

 

 

a)

 

 

Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota

Valori massimi nominali

 

Il simbolo

Descrizione

GD400CUT170C2S

unità

vRRM

La tensione di ripetizione di picco inversa @ Tj=25°C

1700

v

If

Corrente continua in avanti @ Tc= 80°C

100

a)

IMF

Corrente di punta in avanti ripetuta tp=1 ms

200

a)

I2t

I2Valore t,Vr=0V,Tp= 10ms,Tj= 125°C

1800

a)2s

Caratteristiche Valori

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 100A,VGE=0V

tj= 25°C

 

1.80

2.20

v

tj= 125°C

 

1.90

 

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

 

If= 100A,

vr= 900V,

di/dt=-2450A/μs, vGE- Sì. 15 V

tj= 25°C

 

29.0

 

μC

tj= 125°C

 

48.5

 

 

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

 

155

 

 

a)

tj= 125°C

 

165

 

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

 

15.5

 

mj

tj= 125°C

 

27.5

 

modulo igbt

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

 

2500

 

v

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

r- Cc+EE '

Modulo di resistenza al piombo, terminale al chip @ Tc= 25°C

 

0.35

 

mOh

 

 

rθJC

Connessione con il caso

(IGBT-inverter, per 1/2 Modu(le)

 

 

0.052

 

 

C/W

Connessione con il caso

(diodo-sparatore di freno per 1/2 modulo)

 

 

0.280

rθcss

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a(in particolare)

 

0.035

 

C/W

tj

Temperatura massima di giunzione

 

150

 

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40

 

125

°C

montamento

coppia

Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

2.5

 

5.0

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3.0

 

5.0

g

peso di modulo

 

300

 

g

 

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